Leaded Small Signal Transistor General Purpose The BC107B is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by Philips (PH). Below are its key specifications:

1. **Type**: NPN transistor  
2. **Package**: TO-18 metal can  
3. **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB)**: 50V  
4. **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: 45V  
5. **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB)**: 6V  
6. **Maximum Collector Current (I_C)**: 100mA  
7. **Power Dissipation (P_tot)**: 300mW  
8. **Transition Frequency (f_T)**: 150MHz  
9. **DC Current Gain (h_FE)**: 110–450 (varies with operating conditions)  
10. **Operating Temperature Range**: -65°C to +200°C  

These specifications are based on Philips' datasheet for the BC107B.

Leaded Small Signal Transistor General Purpose The BC107B is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by multiple semiconductor companies, including **STMicroelectronics**, **ON Semiconductor**, and **NXP Semiconductors**.  

### **Key Specifications:**  
- **Transistor Type:** NPN  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB):** 50V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 45V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB):** 6V  
- **Continuous Collector Current (I_C):** 100mA  
- **Total Power Dissipation (P_tot):** 300mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 110 to 450 (varies by manufacturer and operating conditions)  
- **Transition Frequency (f_T):** 150MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Package:**  
- **TO-18 (Metal Can)** or **TO-92 (Plastic Encapsulation)**  

### **Applications:**  
- Low-power amplification  
- Switching circuits  
- Signal processing  

Exact specifications may vary slightly depending on the manufacturer. Always refer to the datasheet for precise details.

Leaded Small Signal Transistor General Purpose The BC107B is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by Fairchild Semiconductor. Below are its key specifications:

### **Electrical Characteristics:**
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO):** 45V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO):** 50V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO):** 6V  
- **Collector Current (I_C):** 100mA  
- **Power Dissipation (P_tot):** 300mW  
- **DC Current Gain (h_FE):** 200–450 (at I_C = 2mA, V_CE = 5V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 150MHz  

### **Package:**
- **Package Type:** TO-18 (Metal Can)  

### **Other Features:**
- Low noise  
- Suitable for amplification and switching applications  

This information is based on Fairchild Semiconductor's datasheet for the BC107B transistor.

Leaded Small Signal Transistor General Purpose The BC107B is a general-purpose NPN silicon transistor. Here are the key manufacturer specifications from the Motorola (MOT) datasheet:  

- **Type**: NPN silicon planar epitaxial transistor  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: 45V (max)  
- **Collector-Base Voltage (V_CB)**: 50V (max)  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB)**: 6V (max)  
- **Collector Current (I_C)**: 100mA (max)  
- **Total Power Dissipation (P_tot)**: 300mW (at 25°C)  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 125–450 (at I_C = 2mA, V_CE = 5V)  
- **Transition Frequency (f_T)**: 150MHz (min)  
- **Noise Figure (NF)**: 2dB (typ) at I_C = 100μA, V_CE = 5V, f = 1kHz  
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +200°C  

These specifications are based on the Motorola (MOT) datasheet for the BC107B transistor.

Leaded Small Signal Transistor General Purpose The BC107B is a general-purpose NPN bipolar junction transistor (BJT) manufactured by STMicroelectronics. Below are its key specifications:

- **Type**: NPN
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: 45V
- **Collector-Base Voltage (V_CB)**: 50V
- **Emitter-Base Voltage (V_EB)**: 6V
- **Collector Current (I_C)**: 100mA
- **Total Power Dissipation (P_tot)**: 300mW
- **DC Current Gain (h_FE)**: 110 to 450 (at I_C = 2mA, V_CE = 5V)
- **Transition Frequency (f_T)**: 150MHz
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +150°C
- **Package**: TO-18 (metal can)

These specifications are based on STMicroelectronics' datasheet for the BC107B transistor.