- **Type**: PIN Diode
- **Package**: SOD-323 (SC-76)
- **Reverse Voltage (VR)**: 30 V
- **Forward Current (IF)**: 100 mA
- **Capacitance (CT)**: 0.6 pF (at 0 V, 1 MHz)
- **Forward Voltage (VF)**: 1 V (at 10 mA)
- **Reverse Recovery Time (trr)**: 4 ns
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C
- **Applications**: RF switching, attenuation, and high-frequency circuits

This information is sourced directly from Infineon's datasheet for the BBY59-02V.

The BBY59-02V is a high-performance silicon PIN diode designed for RF and microwave applications. Known for its fast switching speed and low distortion, this component is commonly used in signal switching, attenuation, and modulation circuits. Its robust construction ensures reliable performance in demanding environments, making it suitable for telecommunications, radar systems, and test equipment.  

Featuring a low capacitance and low series resistance, the BBY59-02V minimizes signal loss while maintaining excellent linearity. Its compact SOD-323 package allows for efficient PCB integration, making it ideal for space-constrained designs. The diode operates effectively across a wide frequency range, ensuring versatility in various high-frequency applications.  

Engineers favor the BBY59-02V for its consistent performance and durability. Whether used in transmit/receive modules or precision measurement systems, this component delivers stable operation under varying conditions. Its compatibility with automated assembly processes further enhances its appeal in modern electronics manufacturing.  

For designers seeking a dependable PIN diode with superior RF characteristics, the BBY59-02V presents a well-balanced solution, combining speed, efficiency, and reliability in a compact form factor.