The BBY56-02W is a high-performance silicon switching diode designed for applications requiring fast switching speeds and low capacitance. As part of the BBY series, this component is widely used in RF and microwave circuits, mixers, detectors, and high-frequency signal processing systems.  

Featuring a low forward voltage drop and excellent reverse recovery characteristics, the BBY56-02W ensures efficient signal handling with minimal power loss. Its compact SOD-323 package makes it suitable for space-constrained designs while maintaining reliable performance in demanding environments.  

Key specifications include a maximum reverse voltage of 30V and a typical junction capacitance of just 0.5pF, making it ideal for high-speed switching and low-distortion applications. Engineers often select this diode for its consistent performance across a broad frequency range, ensuring stability in communication and signal processing circuits.  

With its robust construction and industry-standard compliance, the BBY56-02W is a dependable choice for professionals seeking precision and durability in electronic designs. Whether used in telecommunications, test equipment, or consumer electronics, this diode offers a balance of speed, efficiency, and reliability.

- **Type**: RF Schottky Diode  
- **Package**: SOD-323 (SC-76)  
- **Maximum Reverse Voltage (VR)**: 20 V  
- **Peak Repetitive Reverse Voltage (VRRM)**: 20 V  
- **Maximum Forward Voltage (VF)**: 0.5 V (at 1 mA)  
- **Maximum Reverse Current (IR)**: 50 nA (at 15 V)  
- **Capacitance (CT)**: 0.35 pF (at 0 V, 1 MHz)  
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +150°C  
- **Applications**: RF detection, mixing, and switching  

This information is based on Infineon’s datasheet for the BBY56-02W.