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BAS16D from

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BAS16D

SMALL SIGNAL DIODES

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
BAS16D 12000 In Stock

Description and Introduction

SMALL SIGNAL DIODES The BAS16D is a high-speed switching diode manufactured by multiple companies, including NXP, ON Semiconductor, and Diodes Incorporated. Here are the key specifications:

- **Type**: Silicon switching diode
- **Package**: SOT-23 (3-pin)
- **Maximum Reverse Voltage (V_R)**: 85V
- **Average Rectified Forward Current (I_F)**: 200mA
- **Peak Forward Surge Current (I_FSM)**: 1A (non-repetitive)
- **Forward Voltage (V_F)**: 1V (at 10mA)
- **Reverse Recovery Time (t_rr)**: 4ns (typical)
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +150°C
- **Junction Capacitance (C_j)**: 2pF (typical at 0V, 1MHz)

These specifications may vary slightly depending on the manufacturer. Always refer to the datasheet for exact values.

Application Scenarios & Design Considerations

SMALL SIGNAL DIODES# BAS16D Silicon Diode Technical Documentation

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The BAS16D high-speed switching diode finds extensive application in modern electronic systems requiring fast switching characteristics and low power consumption:

 Signal Clipping and Clamping Circuits 
-  Rectification in RF circuits : Used in detector circuits for AM demodulation up to 200 MHz
-  Signal clamping : Protects sensitive inputs by limiting voltage excursions to safe levels (±200mV forward drop)
-  Peak detectors : Fast recovery time (4ns typical) enables accurate signal envelope detection

 Protection Circuits 
-  ESD protection : Guards CMOS and GaAs FET inputs against electrostatic discharge
-  Voltage spike suppression : Clamps transient overvoltages in power supply lines
-  Reverse polarity protection : Prevents damage from incorrect battery insertion

 High-Speed Switching Applications 
-  Digital logic interfaces : Level shifting between different logic families (TTL to CMOS)
-  Sample-and-hold circuits : Fast switching enables precise analog sampling
-  Gating circuits : RF and analog signal routing with minimal distortion

### Industry Applications

 Telecommunications 
-  Mobile devices : RF signal detection and power management circuits
-  Base station equipment : High-frequency signal processing up to 250 MHz
-  Network infrastructure : Signal conditioning in data transmission paths

 Consumer Electronics 
-  Audio equipment : Signal limiting and DC restoration circuits
-  Display systems : ESD protection for high-impedance inputs
-  Power management : Low-power DC-DC converter circuits

 Industrial Control Systems 
-  Sensor interfaces : Signal conditioning for temperature and pressure sensors
-  Motor control : Freewheeling diodes in low-current motor drivers
-  PLC systems : Input protection and signal conditioning

 Automotive Electronics 
-  Infotainment systems : Audio signal processing and protection
-  Body control modules : Low-power switching applications
-  Sensor networks : Signal conditioning in distributed sensor systems

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages 
-  Fast switching : 4ns reverse recovery time enables high-frequency operation
-  Low capacitance : 2pF typical junction capacitance minimizes signal loading
-  High reliability : Robust construction suitable for industrial temperature ranges (-65°C to +150°C)
-  Small footprint : SOT-23 package enables high-density PCB layouts
-  Low forward voltage : 715mV at 10mA reduces power dissipation

 Limitations 
-  Current handling : Maximum 200mA continuous current limits high-power applications
-  Voltage rating : 75V reverse voltage may be insufficient for some industrial applications
-  Thermal considerations : 250mW power dissipation requires careful thermal management
-  ESD sensitivity : Requires proper handling during assembly despite built-in protection

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Thermal Management Issues 
-  Problem : Excessive power dissipation in continuous conduction mode
-  Solution : Implement current limiting or heat sinking for currents above 100mA
-  Monitoring : Use thermal derating above 25°C ambient temperature

 High-Frequency Performance Degradation 
-  Problem : Parasitic inductance affecting switching speed
-  Solution : Minimize lead lengths and use ground planes
-  Layout : Keep high-speed traces shorter than λ/10 at operating frequency

 Reverse Recovery Oscillations 
-  Problem : Ringing during reverse recovery causing EMI
-  Solution : Add small snubber circuits (10-100Ω series resistance)
-  Damping : Use ferrite beads in high-di/dt applications

### Compatibility Issues with Other Components

 Mixed-Signal Circuits 
-  CMOS compatibility : Ensure forward voltage (0.715V) doesn't exceed CMOS input thresholds
-  ADC interfaces : Account for diode leakage current (5nA max) in high-imped

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