Preliminary data Silicon Schottky Diodes (For low-loss, fast-recovery, meter protection, bias isolation and clamping application) The BAS125W is a small-signal Schottky diode manufactured by Infineon. Here are its key specifications:  

- **Type**: Schottky Barrier Diode  
- **Package**: SOD-323 (SC-76)  
- **Maximum Reverse Voltage (VR)**: 25 V  
- **Average Forward Current (IF)**: 100 mA  
- **Peak Forward Surge Current (IFSM)**: 1 A  
- **Forward Voltage (VF)**: 0.38 V (at 1 mA), 0.5 V (at 10 mA)  
- **Reverse Leakage Current (IR)**: 0.2 µA (at 10 V), 2 µA (at 20 V)  
- **Junction Capacitance (Cj)**: 2 pF (at 0 V, 1 MHz)  
- **Operating Temperature Range**: -65 °C to +125 °C  
- **Applications**: High-speed switching, clamping, protection circuits  

These specifications are based on Infineon's datasheet for the BAS125W.