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BAS125-05 from Infineon

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BAS125-05

Manufacturer: Infineon

RF Schottky Diode

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
BAS125-05,BAS12505 Infineon 59350 In Stock

Description and Introduction

RF Schottky Diode The BAS125-05 is a high-speed switching diode manufactured by Infineon. Here are its key specifications:

- **Type**: Schottky diode  
- **Package**: SOT-23  
- **Reverse Voltage (VR)**: 25 V  
- **Forward Current (IF)**: 200 mA  
- **Forward Voltage (VF)**: 0.38 V (at 10 mA)  
- **Reverse Current (IR)**: 0.5 µA (at 25 V)  
- **Junction Capacitance (Cj)**: 2 pF (at 0 V, 1 MHz)  
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +125°C  

These specifications are based on Infineon's datasheet for the BAS125-05.

Application Scenarios & Design Considerations

RF Schottky Diode# BAS12505 Technical Documentation

*Manufacturer: Infineon*

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The BAS12505 is a high-performance Schottky barrier diode specifically engineered for high-frequency and fast-switching applications. Primary use cases include:

 Power Supply Circuits 
- Switching mode power supply (SMPS) output rectification
- DC-DC converter reverse polarity protection
- Voltage clamping in power management systems
- Freewheeling diode in buck/boost converters

 Signal Processing Applications 
- RF signal detection and mixing circuits
- High-speed data line protection
- Signal clamping and limiting circuits
- High-frequency demodulation circuits

 Protection Circuits 
- Reverse current blocking in battery-powered devices
- Overvoltage protection in sensitive electronic systems
- ESD protection for high-speed interfaces

### Industry Applications
 Automotive Electronics 
- Engine control units (ECUs) for reverse polarity protection
- Infotainment system power management
- LED lighting driver circuits
- Advanced driver assistance systems (ADAS)

 Telecommunications 
- 5G infrastructure equipment
- Base station power supplies
- RF power amplifier protection
- Network switching equipment

 Consumer Electronics 
- Smartphone fast charging circuits
- Laptop DC-DC converters
- Gaming console power management
- Wearable device battery protection

 Industrial Automation 
- PLC input/output protection
- Motor drive circuits
- Sensor interface protection
- Industrial power supplies

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
- Ultra-low forward voltage drop (typically 0.38V at 1A)
- Extremely fast reverse recovery time (<10ns)
- Low leakage current (<5μA at room temperature)
- High surge current capability
- Excellent thermal stability
- Compact SMD package (SOD-123FL)

 Limitations: 
- Limited reverse voltage rating (40V maximum)
- Higher cost compared to standard silicon diodes
- Sensitivity to electrostatic discharge (ESD)
- Thermal derating required for high-temperature operation
- Limited availability in through-hole packages

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Thermal Management Issues 
*Pitfall:* Inadequate heat dissipation leading to premature failure
*Solution:* Implement proper thermal vias, use adequate copper area, and consider derating at elevated temperatures

 Voltage Spikes and Transients 
*Pitfall:* Unprotected operation in inductive load circuits
*Solution:* Incorporate snubber circuits and ensure proper PCB layout to minimize parasitic inductance

 ESD Sensitivity 
*Pitfall:* Handling without ESD precautions during assembly
*Solution:* Implement ESD protection at assembly stations and follow proper handling procedures

### Compatibility Issues with Other Components

 Microcontroller Interfaces 
- Compatible with most modern MCUs (3.3V/5V systems)
- Ensure proper level shifting when interfacing with lower voltage devices

 Power Management ICs 
- Works well with common switching regulators (LM267x, TPS54xxx series)
- Verify compatibility with synchronous rectifier controllers

 Passive Components 
- Requires careful selection of decoupling capacitors
- Compatible with standard SMD resistors and inductors

### PCB Layout Recommendations

 Power Circuit Layout 
- Place BAS12505 close to the switching element to minimize loop area
- Use wide traces for high-current paths (minimum 40 mil width for 1A current)
- Implement ground planes for improved thermal performance

 Thermal Management 
- Provide adequate copper area for heat dissipation (minimum 100 mm²)
- Use thermal vias under the package to transfer heat to inner layers
- Consider adding solder mask openings for improved heat transfer

 High-Frequency Considerations 
- Keep high-frequency switching nodes short and direct
- Minimize parasitic capacitance by avoiding large copper areas near cathode
- Use ground shielding for sensitive analog signals near the

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