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BAS125-04W from infineon

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BAS125-04W

Manufacturer: infineon

RF Schottky Diode

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
BAS125-04W,BAS12504W infineon 18000 In Stock

Description and Introduction

RF Schottky Diode The BAS125-04W is a high-speed switching diode manufactured by Infineon. Here are its key specifications:

- **Type**: High-speed switching diode
- **Package**: SOD-323 (SC-76)
- **Maximum Reverse Voltage (VR)**: 40 V
- **Average Rectified Forward Current (IF)**: 200 mA
- **Peak Forward Surge Current (IFSM)**: 1 A (non-repetitive)
- **Forward Voltage (VF)**: 1 V (at 10 mA)
- **Reverse Recovery Time (trr)**: 4 ns (typical)
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +150°C
- **Storage Temperature Range**: -65°C to +175°C
- **Junction Capacitance (Cj)**: 2 pF (at 0 V, 1 MHz)
- **Material**: Silicon

These specifications are based on Infineon's datasheet for the BAS125-04W diode.

Application Scenarios & Design Considerations

RF Schottky Diode# BAS12504W Technical Documentation

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The BAS12504W is a high-performance Schottky barrier diode specifically designed for modern electronic applications requiring fast switching and low forward voltage drop. Typical use cases include:

 Power Supply Circuits 
- Switching mode power supplies (SMPS) as freewheeling diodes
- DC-DC converter output rectification
- Voltage clamping and protection circuits
- Reverse polarity protection in power management systems

 High-Frequency Applications 
- RF detection and mixing circuits up to 2.4 GHz
- Signal demodulation in communication systems
- High-speed switching in digital circuits
- Pulse and waveform shaping circuits

 Portable Electronics 
- Battery-powered device power management
- Mobile device charging circuits
- Low-voltage drop rectification in portable equipment

### Industry Applications
 Automotive Electronics 
- Engine control units (ECUs)
- Infotainment systems
- LED lighting drivers
- Advanced driver assistance systems (ADAS)

 Consumer Electronics 
- Smartphones and tablets
- Wearable devices
- Gaming consoles
- Home automation systems

 Industrial Systems 
- Motor drive circuits
- Industrial automation controllers
- Power monitoring equipment
- Renewable energy systems

 Telecommunications 
- Base station power supplies
- Network equipment
- Fiber optic transceivers
- Wireless communication devices

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  Low Forward Voltage Drop : Typically 0.38V at 1A, reducing power losses
-  Fast Recovery Time : <10ns enables high-frequency operation
-  High Temperature Operation : Capable of operating up to 150°C
-  Low Leakage Current : <10μA at room temperature improves efficiency
-  Small Package : SOD-123FL package saves board space
-  High Surge Current Capability : Withstands short-term overload conditions

 Limitations: 
-  Voltage Rating : Maximum 40V reverse voltage limits high-voltage applications
-  Thermal Considerations : Requires proper heat dissipation at high currents
-  ESD Sensitivity : Requires ESD protection during handling and assembly
-  Cost Consideration : Higher cost compared to standard silicon diodes

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Thermal Management Issues 
-  Pitfall : Overheating due to inadequate heat sinking at maximum current
-  Solution : Implement proper PCB copper pour and thermal vias
-  Pitfall : Ignoring temperature derating curves
-  Solution : Derate current by 20% for temperatures above 85°C

 Switching Speed Mismatch 
-  Pitfall : Ringing and overshoot in high-speed circuits
-  Solution : Add snubber circuits and optimize layout for minimal parasitic inductance
-  Pitfall : EMI issues from fast switching transitions
-  Solution : Implement proper filtering and shielding

 Reverse Recovery Concerns 
-  Pitfall : Unexpected reverse recovery currents affecting circuit performance
-  Solution : Account for stored charge in timing calculations
-  Pitfall : Cross-conduction in bridge configurations
-  Solution : Implement dead-time control in switching circuits

### Compatibility Issues with Other Components

 Microcontroller Interfaces 
- Ensure logic level compatibility with GPIO voltages
- Consider adding series resistors for current limiting
- Implement proper level shifting when interfacing with different voltage domains

 Power MOSFET Coordination 
- Match switching speeds with associated MOSFETs
- Consider gate drive requirements when used in synchronous rectification
- Ensure proper timing alignment in bridge configurations

 Capacitor Selection 
- Use low-ESR capacitors in parallel for high-frequency bypassing
- Consider ceramic capacitors for high-frequency applications
- Ensure voltage ratings exceed maximum operating conditions

### PCB Layout Recommendations

 Power Path Layout 
- Use wide traces for high-current

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