IC Phoenix logo

Home ›  B  › B5 > BAR89

BAR89 from INFINEON

Fast Delivery, Competitive Price @IC-phoenix

If you need more electronic components or better pricing, we welcome any inquiry.

BAR89

Manufacturer: INFINEON

Silicon PIN Diode

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
BAR89 INFINEON 25000 In Stock

Description and Introduction

Silicon PIN Diode The BAR89 diode is manufactured by Infineon Technologies. Here are its key specifications:

- **Type**: Schottky Diode
- **Package**: SOD-323 (SC-76)
- **Maximum Reverse Voltage (VRRM)**: 70 V
- **Average Forward Current (IF(AV))**: 200 mA
- **Peak Forward Surge Current (IFSM)**: 1 A (non-repetitive)
- **Forward Voltage (VF)**: 0.38 V (at 10 mA)
- **Reverse Leakage Current (IR)**: 0.2 µA (at 70 V)
- **Operating Temperature Range**: -65 °C to +125 °C
- **Junction Capacitance (Cj)**: 2 pF (at 0 V, 1 MHz)
- **Applications**: High-speed switching, RF detection, clamping circuits. 

These specifications are based on Infineon's datasheet for the BAR89 diode.

Application Scenarios & Design Considerations

Silicon PIN Diode# BAR89 Schottky Diode Technical Documentation

*Manufacturer: INFINEON*

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The BAR89 Schottky diode is primarily employed in  high-frequency rectification  and  RF detection  applications due to its low forward voltage and fast switching characteristics. Common implementations include:

-  Mixer circuits  in communication systems
-  Sample-and-hold circuits  for precision measurement
-  Voltage clamping  in protection circuits
-  Reverse polarity protection  in DC power supplies
-  Signal demodulation  in radio receivers

### Industry Applications
 Telecommunications Industry: 
- Cellular base station equipment
- Satellite communication systems
- Wireless LAN devices
- Radar signal processing

 Consumer Electronics: 
- High-speed switching power supplies
- LCD backlight inverters
- Portable device charging circuits
- Audio/video signal processing

 Industrial Systems: 
- Motor drive circuits
- Power conditioning systems
- Instrumentation equipment
- Automotive electronics

### Practical Advantages
-  Low forward voltage drop  (typically 0.35V @ 1mA) reduces power losses
-  Fast recovery time  (<1ns) enables high-frequency operation
-  Low junction capacitance  minimizes signal distortion
-  High temperature stability  maintains performance across operating range

### Limitations
-  Limited reverse voltage rating  (max 70V) restricts high-voltage applications
-  Temperature sensitivity  requires thermal management in high-power designs
-  Higher leakage current  compared to PN junction diodes
-  Cost premium  over standard silicon diodes for basic applications

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions
 Thermal Management Issues: 
-  Problem:  Excessive junction temperature due to inadequate heat dissipation
-  Solution:  Implement proper PCB copper pours and consider heatsinking for high-current applications

 Reverse Recovery Oscillations: 
-  Problem:  Ringing during switching transitions causing EMI
-  Solution:  Use snubber circuits and optimize PCB trace lengths

 Voltage Overshoot: 
-  Problem:  Transient voltage spikes exceeding maximum ratings
-  Solution:  Incorporate TVS diodes or RC snubbers for protection

### Compatibility Issues
 Mixed Signal Circuits: 
- Ensure proper grounding separation when used in analog/digital interfaces
- Consider noise coupling in sensitive measurement circuits

 Power Supply Integration: 
- Verify compatibility with switching regulators (synchronous vs non-synchronous)
- Assess impact on power supply stability and transient response

 RF Circuit Integration: 
- Impedance matching requirements in high-frequency applications
- Parasitic effects on signal integrity at microwave frequencies

### PCB Layout Recommendations
 General Layout Guidelines: 
- Place diode close to associated components to minimize trace inductance
- Use ground planes for improved thermal performance and EMI reduction
- Maintain adequate clearance for high-voltage applications

 High-Frequency Considerations: 
- Implement controlled impedance traces for RF applications
- Minimize via transitions in high-speed signal paths
- Use coplanar waveguide structures for microwave circuits

 Thermal Management: 
- Utilize thermal vias for heat dissipation to inner layers
- Provide sufficient copper area for heat spreading
- Consider thermal relief patterns for soldering and thermal cycling

## 3. Technical Specifications

### Key Parameter Explanations
 Forward Voltage (VF): 
- Typically 0.35V @ 1mA, 0.55V @ 100mA
- Critical for efficiency calculations in power applications

 Reverse Voltage (VR): 
- Maximum 70V continuous reverse bias
- Determines application voltage limits

 Junction Capacitance (Cj): 
- Typically 1.8pF @ 0V, 1MHz
- Affects high-frequency performance and switching speed

 Reverse Recovery Time (trr): 
- <1ns typical value
- Crucial for switching

Request Quotation

For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]

Part Number Quantity Target Price($USD) Email Contact Person
We offer highly competitive channel pricing. Get in touch for details.

Specializes in hard-to-find components chips