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BAR80 from INFINEON

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BAR80

Manufacturer: INFINEON

Silicon RF Switching Diode

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
BAR80 INFINEON 40000 In Stock

Description and Introduction

Silicon RF Switching Diode The BAR80 diode from INFINEON is a silicon Schottky barrier diode designed for high-speed switching applications. Key specifications include:

- **Maximum Average Forward Current (IF(AV))**: 8 A  
- **Peak Forward Surge Current (IFSM)**: 150 A  
- **Reverse Voltage (VR)**: 80 V  
- **Forward Voltage (VF)**: 0.55 V (at 8 A, 25°C)  
- **Reverse Leakage Current (IR)**: 500 µA (at 80 V, 25°C)  
- **Junction Temperature Range (Tj)**: -55°C to +150°C  
- **Package**: TO-220AC  

It is optimized for low power loss and high efficiency in applications like power supplies and converters.

Application Scenarios & Design Considerations

Silicon RF Switching Diode# BAR80 Schottky Diode Technical Documentation

*Manufacturer: INFINEON*

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The BAR80 Schottky diode is primarily employed in  high-frequency rectification applications  due to its low forward voltage drop and fast switching characteristics. Common implementations include:

-  Power Supply Circuits : Used as output rectifiers in switch-mode power supplies (SMPS) operating at frequencies up to 1 MHz
-  Reverse Polarity Protection : Prevents damage from incorrect power supply connections in portable electronics and automotive systems
-  Freewheeling Diodes : Provides current recirculation paths in inductive load circuits, particularly in motor drive and relay control systems
-  Voltage Clamping : Limits voltage spikes in sensitive electronic circuits, protecting downstream components

### Industry Applications
-  Automotive Electronics : Engine control units, infotainment systems, and LED lighting drivers
-  Telecommunications : RF detection circuits and signal demodulation in mobile devices
-  Industrial Automation : PLC output modules, motor drives, and power conversion systems
-  Consumer Electronics : DC-DC converters, battery charging circuits, and power management units

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  Low Forward Voltage : Typically 0.35V at 1A, reducing power losses significantly compared to standard PN-junction diodes
-  Fast Recovery Time : <10 ns switching speed enables efficient high-frequency operation
-  High Temperature Operation : Capable of functioning in environments up to 175°C
-  Low Reverse Recovery Charge : Minimizes switching losses in high-frequency applications

 Limitations: 
-  Higher Reverse Leakage Current : Increases with temperature, requiring thermal management in high-temperature applications
-  Limited Reverse Voltage : Maximum 80V rating restricts use in high-voltage circuits
-  Sensitivity to Voltage Transients : Requires additional protection against voltage spikes exceeding maximum ratings

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Pitfall 1: Thermal Management Issues 
-  Problem : Inadequate heat sinking leading to thermal runaway
-  Solution : Implement proper thermal vias, copper pours, and consider heatsinking for currents exceeding 1A continuous

 Pitfall 2: Voltage Overshoot 
-  Problem : Inductive kickback exceeding maximum reverse voltage rating
-  Solution : Use snubber circuits or TVS diodes in parallel for additional protection

 Pitfall 3: Layout-Induced Parasitics 
-  Problem : Excessive trace inductance causing voltage spikes and EMI
-  Solution : Minimize loop areas and keep diode close to switching elements

### Compatibility Issues with Other Components

 Compatible Components: 
-  MOSFETs : Excellent pairing with switching MOSFETs in synchronous rectifier configurations
-  Capacitors : Works well with ceramic and tantalum capacitors in filtering applications
-  Inductors : Suitable for use with power inductors in buck/boost converter topologies

 Potential Conflicts: 
-  BJT Transistors : May require additional base drive circuitry due to voltage drop mismatches
-  High-Voltage Components : Incompatible with circuits operating above 80V reverse voltage
-  Precision Analog Circuits : Reverse leakage current may affect sensitive measurement circuits

### PCB Layout Recommendations

 Critical Layout Guidelines: 
1.  Placement Priority : Position the diode as close as possible to the switching element it serves
2.  Thermal Management :
   - Use minimum 2oz copper weight for power traces
   - Implement thermal relief patterns for soldering
   - Include multiple thermal vias for heat dissipation

3.  Trace Routing :
   - Keep high-frequency current loops small and direct
   - Use wide traces for anode and cathode connections (minimum 40 mil width for 1A current)
   - Separate high-frequency switching

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