Silicon RF Switching Diode The BAR80 diode from INFINEON is a silicon Schottky barrier diode designed for high-speed switching applications. Key specifications include:

- **Maximum Average Forward Current (IF(AV))**: 8 A  
- **Peak Forward Surge Current (IFSM)**: 150 A  
- **Reverse Voltage (VR)**: 80 V  
- **Forward Voltage (VF)**: 0.55 V (at 8 A, 25°C)  
- **Reverse Leakage Current (IR)**: 500 µA (at 80 V, 25°C)  
- **Junction Temperature Range (Tj)**: -55°C to +150°C  
- **Package**: TO-220AC  

It is optimized for low power loss and high efficiency in applications like power supplies and converters.