Preliminary data Silicon RF Switching Diode (Low loss, low capacitance PIN-diode Band switch for TV-tuners) The BAR65-03W is a silicon Schottky diode manufactured by Infineon. Here are its key specifications:

- **Type**: Silicon Schottky Diode
- **Package**: SOD-323 (SC-76)
- **Maximum Reverse Voltage (VRRM)**: 30 V
- **Average Forward Current (IF(AV))**: 200 mA
- **Peak Forward Surge Current (IFSM)**: 1 A (non-repetitive)
- **Forward Voltage (VF)**: 0.38 V (at 10 mA), 0.5 V (at 100 mA)
- **Reverse Leakage Current (IR)**: 0.2 µA (at 10 V), 10 µA (at 30 V)
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +125°C
- **Junction Capacitance (Cj)**: 2.5 pF (at 0 V, 1 MHz)
- **Storage Temperature Range**: -65°C to +150°C

These specifications are based on Infineon's datasheet for the BAR65-03W.