Silicon PIN Diode (High voltage current controlled RF resistor for RF attenuator and swirches Freqency range above 1 MHz) The BAR64 is a silicon switching diode manufactured by Infineon Technologies. Here are its key specifications:

- **Type**: Silicon switching diode
- **Package**: SOD-323 (SC-76)
- **Maximum Reverse Voltage (VR)**: 70 V
- **Average Rectified Forward Current (IF)**: 200 mA
- **Peak Forward Surge Current (IFSM)**: 1 A (pulsed)
- **Forward Voltage (VF)**: 1 V (at 10 mA)
- **Reverse Current (IR)**: 100 nA (at 70 V)
- **Total Capacitance (CT)**: 1 pF (at 0 V, 1 MHz)
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +150°C
- **Storage Temperature Range**: -65°C to +175°C

These specifications are based on Infineon's datasheet for the BAR64 diode.

Silicon PIN Diode (High voltage current controlled RF resistor for RF attenuator and swirches Freqency range above 1 MHz) The BAR64 is a silicon Schottky diode manufactured by Infineon Technologies. Here are its key specifications:

- **Type**: Schottky diode
- **Package**: SOD-323 (SC-76)
- **Maximum Reverse Voltage (VRRM)**: 30 V
- **Average Forward Current (IF(AV))**: 100 mA
- **Peak Forward Surge Current (IFSM)**: 1 A (non-repetitive)
- **Forward Voltage (VF)**: 0.5 V (typical at 10 mA)
- **Reverse Leakage Current (IR)**: 0.2 µA (typical at 25°C, 30 V)
- **Junction Capacitance (Cj)**: 1.5 pF (typical at 0 V, 1 MHz)
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +125°C

These specifications are based on Infineon's datasheet for the BAR64 diode.