Silicon PIN Diode (High voltage current controlled RF resistor for RF attenuator and switches Frequency range above 1 MHz) The BAR64-05W is a silicon Schottky diode manufactured by Infineon. Here are its key specifications:

- **Type**: Silicon Schottky Diode
- **Package**: SOD-323 (SC-76)
- **Maximum Reverse Voltage (VRRM)**: 30 V
- **Average Forward Current (IF(AV))**: 200 mA
- **Peak Forward Surge Current (IFSM)**: 1 A (non-repetitive)
- **Forward Voltage (VF)**: 0.5 V (typical at 10 mA)
- **Reverse Current (IR)**: 1 µA (typical at 25°C, 30 V)
- **Operating Junction Temperature (Tj)**: -65°C to +125°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -65°C to +150°C
- **Applications**: High-frequency rectification, signal detection, and switching circuits

These specifications are based on Infineon's datasheet for the BAR64-05W.

Silicon PIN Diode (High voltage current controlled RF resistor for RF attenuator and switches Frequency range above 1 MHz) The BAR64-05W is a silicon switching diode manufactured by Infineon Technologies. Here are its key specifications:

- **Manufacturer**: Infineon Technologies  
- **Type**: Silicon switching diode  
- **Package**: SOD-323 (SC-76)  
- **Maximum Reverse Voltage (VR)**: 30 V  
- **Average Rectified Forward Current (IF(AV))**: 200 mA  
- **Peak Forward Surge Current (IFSM)**: 500 mA  
- **Forward Voltage (VF)**: 1 V (at 10 mA)  
- **Reverse Recovery Time (trr)**: 4 ns  
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +150°C  

These are the factual specifications for the BAR64-05W diode.

Silicon PIN Diode (High voltage current controlled RF resistor for RF attenuator and switches Frequency range above 1 MHz) The BAR64-05W is a diode manufactured by 西门子 (Siemens). Below are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:  

- **Manufacturer**: 西门子 (Siemens)  
- **Part Number**: BAR64-05W  
- **Type**: Schottky Diode  
- **Package**: SOD-323 (Miniature Surface Mount)  
- **Maximum Reverse Voltage (VR)**: 40V  
- **Average Forward Current (IF)**: 200mA  
- **Peak Forward Surge Current (IFSM)**: 1A  
- **Forward Voltage (VF)**: 0.5V (typical at 10mA)  
- **Reverse Leakage Current (IR)**: 2μA (typical at 20V)  
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +125°C  
- **Applications**: High-frequency switching, RF detection, and signal demodulation  

This information is based solely on the available technical data for the BAR64-05W diode. No additional interpretation or recommendations are included.