Silicon PIN Diode (PIN diode for high speed switching of RF signal Low forward resistance Very low capacitance For frequencies up to 3 GHz) The BAR63-06W is a diode manufactured by SIEMENS. Here are its specifications:  

- **Type**: Schottky diode  
- **Maximum repetitive reverse voltage (VRRM)**: 60 V  
- **Maximum average forward current (IF(AV))**: 0.5 A  
- **Peak forward surge current (IFSM)**: 20 A (non-repetitive)  
- **Forward voltage (VF)**: 0.85 V (at 0.5 A)  
- **Reverse current (IR)**: 1 µA (at 60 V)  
- **Operating temperature range**: -65 °C to +150 °C  
- **Package**: SOD-323 (SC-76)  

These are the factual specifications of the BAR63-06W diode from SIEMENS.

Silicon PIN Diode (PIN diode for high speed switching of RF signal Low forward resistance Very low capacitance For frequencies up to 3 GHz) The BAR63-06W is a Schottky diode manufactured by **Infineon**. Here are its key specifications:

- **Type**: Schottky Barrier Diode
- **Package**: SOD-323 (SC-76)
- **Maximum Reverse Voltage (VRRM)**: 30 V
- **Average Forward Current (IF(AV))**: 200 mA
- **Peak Forward Surge Current (IFSM)**: 1 A
- **Forward Voltage (VF)**: 0.5 V (typical at 10 mA)
- **Reverse Leakage Current (IR)**: 0.2 µA (typical at 25°C, 30 V)
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +125°C
- **Junction Capacitance (CJ)**: 2 pF (typical at 0 V, 1 MHz)

This diode is designed for high-speed switching applications, such as RF detection and mixing, due to its low forward voltage and fast switching characteristics.