Silicon PIN Diode (PIN diode for high speed switching of RF signals Low forward resistance Very low capacitance For frequencies up to 3 GHz) The BAR63-06 is a Schottky diode manufactured by Infineon. Here are its key specifications:

- **Type**: Schottky Barrier Diode
- **Package**: SOT-23
- **Maximum Reverse Voltage (VRRM)**: 30V
- **Average Forward Current (IF)**: 100mA
- **Peak Forward Surge Current (IFSM)**: 1A
- **Forward Voltage (VF)**: 0.5V (typical) at 10mA
- **Reverse Leakage Current (IR)**: 0.1µA (typical) at 25V
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +125°C
- **Junction Capacitance (Cj)**: 2pF (typical) at 0V, 1MHz

These specifications are based on Infineon's datasheet for the BAR63-06 diode.