- **Type**: Schottky Barrier Diode  
- **Package**: SOD-323 (SC-76)  
- **Maximum Reverse Voltage (VR)**: 30 V  
- **Average Forward Current (IF)**: 100 mA  
- **Peak Forward Surge Current (IFSM)**: 1 A (pulsed)  
- **Forward Voltage (VF)**: 0.5 V (at 10 mA)  
- **Reverse Current (IR)**: 0.2 µA (at 25°C, VR = 30 V)  
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +125°C  
- **Junction Capacitance (CJ)**: 2 pF (at VR = 0 V, f = 1 MHz)  
- **Applications**: High-frequency switching, RF detection, and signal demodulation.  

These are the factual specifications provided in Ic-phoenix technical data files for the BAR63-02L by Infineon.

1. **Type**: Schottky diode  
2. **Package**: SOD-323 (MiniMELF)  
3. **Maximum Reverse Voltage (V_R)**: 30 V  
4. **Average Forward Current (I_F)**: 100 mA  
5. **Peak Forward Surge Current (I_FSM)**: 1 A  
6. **Forward Voltage (V_F)**: 0.5 V (typical at 10 mA)  
7. **Reverse Current (I_R)**: 0.1 µA (typical at 25°C, 30 V)  
8. **Operating Temperature Range**: -65°C to +125°C  
9. **Applications**: High-frequency switching, RF detection, and signal demodulation  

These specifications are based on the EPCOS datasheet for the BAR63-02L.

- **Type**: Schottky diode
- **Package**: SOD323 (SC-76)
- **Maximum Reverse Voltage (VR)**: 30 V
- **Average Rectified Forward Current (IF(AV))**: 100 mA
- **Peak Forward Surge Current (IFSM)**: 1 A (non-repetitive)
- **Forward Voltage (VF)**: 0.5 V (at 10 mA)
- **Reverse Current (IR)**: 0.2 µA (at 25°C, VR = 30 V)
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +125°C
- **Junction Capacitance (CJ)**: 2 pF (typical at VR = 0 V, f = 1 MHz)

This diode is designed for high-speed switching applications, RF detection, and signal demodulation.