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BAR42 from ST,ST Microelectronics

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BAR42

Manufacturer: ST

SMALL SIGNAL SCHOTTKY DIODES

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
BAR42 ST 100000 In Stock

Description and Introduction

SMALL SIGNAL SCHOTTKY DIODES The BAR42 is a silicon switching diode manufactured by STMicroelectronics. Here are its key specifications:

- **Type**: Switching Diode  
- **Material**: Silicon  
- **Maximum Repetitive Reverse Voltage (VRRM)**: 100 V  
- **Average Rectified Forward Current (IO)**: 200 mA  
- **Peak Forward Surge Current (IFSM)**: 1 A (non-repetitive)  
- **Forward Voltage (VF)**: 1 V (at 200 mA)  
- **Reverse Current (IR)**: 5 µA (at 100 V)  
- **Junction Capacitance (Cj)**: 2 pF (at 0 V, 1 MHz)  
- **Operating Temperature Range**: -65 °C to +175 °C  
- **Package**: SOD-123  

These specifications are based on ST's datasheet for the BAR42 diode.

Application Scenarios & Design Considerations

SMALL SIGNAL SCHOTTKY DIODES# BAR42 Schottky Diode Technical Documentation

## 1. Application Scenarios (45%)

### Typical Use Cases
The BAR42 Schottky diode finds extensive application in  high-frequency circuits  due to its fast switching characteristics and low forward voltage drop. Primary use cases include:

-  RF Detection and Mixing : Used in receiver front-ends for signal detection and frequency conversion
-  Voltage Clamping : Protection circuits against voltage spikes and transients
-  Power Rectification : Low-voltage DC power supplies where efficiency is critical
-  Sample-and-Hold Circuits : Precision analog sampling applications
-  Reverse Polarity Protection : Battery-powered devices and DC input circuits

### Industry Applications
 Telecommunications : Mobile devices, base stations, and RF modules utilize BAR42 for signal processing and power management
 Automotive Electronics : Engine control units, infotainment systems, and LED lighting drivers
 Consumer Electronics : Smartphones, tablets, and portable devices for power conditioning
 Industrial Control : Sensor interfaces, motor drives, and power supply units
 Medical Devices : Portable medical equipment and monitoring systems

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  Low Forward Voltage : Typically 0.35V at 1mA, reducing power losses
-  Fast Recovery Time : <1ns switching speed enables high-frequency operation
-  Low Capacitance : ~1pF typical junction capacitance minimizes RF loading
-  High Temperature Operation : Reliable performance up to 125°C
-  Small Form Factor : SOD-123 package enables compact PCB designs

 Limitations: 
-  Limited Reverse Voltage : Maximum 30V restricts high-voltage applications
-  Temperature Sensitivity : Forward voltage decreases with temperature increase
-  Current Handling : Maximum 200mA continuous current limits high-power applications
-  ESD Sensitivity : Requires careful handling during assembly

## 2. Design Considerations (35%)

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Thermal Management Issues 
-  Pitfall : Overheating in continuous operation due to inadequate heat dissipation
-  Solution : Implement proper PCB copper pours and consider derating above 85°C ambient

 Reverse Recovery Oscillations 
-  Pitfall : Ringing during fast switching causing EMI and signal integrity issues
-  Solution : Add small series resistors (10-47Ω) and proper bypass capacitors

 ESD Damage 
-  Pitfall : Electrostatic discharge during handling and assembly
-  Solution : Follow ESD protocols and consider additional protection diodes

### Compatibility Issues

 With Microcontrollers: 
- Ensure logic level compatibility; BAR42's forward voltage may not suit 1.8V systems
- Consider lower Vf Schottky diodes for ultra-low voltage applications

 With Power Management ICs: 
- Verify maximum voltage ratings match system requirements
- Check temperature coefficients for thermal compensation needs

 In RF Circuits: 
- Parasitic capacitance may affect high-frequency performance above 1GHz
- Consider alternative packaging for microwave applications

### PCB Layout Recommendations

 Power Applications: 
- Use wide traces (≥20 mil) for anode and cathode connections
- Place decoupling capacitors (100nF) within 5mm of the diode
- Implement thermal vias for heat dissipation in high-current applications

 RF Applications: 
- Minimize trace lengths to reduce parasitic inductance
- Use ground planes beneath the component
- Implement proper impedance matching for high-frequency signals

 General Layout: 
- Maintain minimum 10 mil clearance from other components
- Orient diode marking for consistent assembly
- Consider automated optical inspection (AOI) requirements

## 3. Technical Specifications (20%)

### Key Parameter Explanations

 Electrical Characteristics (@25°C): 
-  Forward Voltage (VF) : 0.35V typical at IF = 1mA
-  Reverse Voltage (VR) :

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