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BAR15-1 from INFINEON

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BAR15-1

Manufacturer: INFINEON

PIN Diodes

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
BAR15-1,BAR151 INFINEON 3000 In Stock

Description and Introduction

PIN Diodes The part BAR15-1 is manufactured by **Infineon**. Here are its key specifications:

- **Type**: Schottky Diode
- **Package**: SOD-323 (SC-76)
- **Maximum Reverse Voltage (VR)**: 15 V
- **Average Rectified Forward Current (IO)**: 0.1 A
- **Peak Forward Surge Current (IFSM)**: 1 A
- **Forward Voltage (VF)**: 0.38 V (at 0.1 A)
- **Reverse Leakage Current (IR)**: 0.2 µA (at 10 V)
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +125°C
- **Applications**: High-frequency switching, RF detection, and general-purpose rectification.

These are the factual specifications for the **BAR15-1** from Infineon.

Application Scenarios & Design Considerations

PIN Diodes# BAR151 Schottky Diode Technical Documentation

*Manufacturer: INFINEON*

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The BAR151 Schottky diode is primarily employed in  high-frequency rectification  applications due to its fast switching characteristics and low forward voltage drop. Common implementations include:

-  RF Detection Circuits : Used in signal detection and demodulation circuits operating in the 1-3 GHz range
-  Power Supply Protection : Reverse polarity protection in DC power supplies and battery-powered systems
-  Voltage Clamping : Protection against voltage spikes in sensitive electronic circuits
-  Mixer Circuits : Frequency conversion in communication systems
-  Sample-and-Hold Circuits : Fast switching for accurate signal sampling

### Industry Applications
 Telecommunications : 
- Mobile handset power management
- Base station RF circuits
- Wireless communication modules

 Consumer Electronics :
- Smartphone charging circuits
- Portable device power management
- Audio/video equipment protection

 Automotive Systems :
- ECU protection circuits
- Infotainment system power supplies
- Sensor interface protection

 Industrial Electronics :
- Motor drive circuits
- Power supply units
- Control system protection

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages :
-  Low Forward Voltage : Typically 0.38V @ 100mA, reducing power losses
-  Fast Recovery Time : <1ns switching speed enables high-frequency operation
-  Low Capacitance : 1.5pF typical reverse capacitance minimizes high-frequency losses
-  High Efficiency : Superior performance in low-voltage, high-frequency applications
-  Temperature Stability : Consistent performance across operating temperature range

 Limitations :
-  Limited Reverse Voltage : Maximum 40V restricts high-voltage applications
-  Temperature Sensitivity : Forward voltage decreases with temperature increase
-  Current Handling : Maximum 200mA continuous current limits high-power applications
-  Leakage Current : Higher reverse leakage compared to PN junction diodes

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Thermal Management Issues :
-  Pitfall : Overheating due to inadequate heat dissipation in high-current applications
-  Solution : Implement proper PCB copper pours and consider thermal vias for heat transfer

 Reverse Recovery Concerns :
-  Pitfall : Unexpected oscillations during fast switching transitions
-  Solution : Include small-value snubber circuits and proper decoupling capacitors

 ESD Sensitivity :
-  Pitfall : Electrostatic discharge damage during handling and assembly
-  Solution : Implement ESD protection measures and follow proper handling procedures

### Compatibility Issues with Other Components

 Microcontroller Interfaces :
- Ensure compatibility with logic level voltages (3.3V/5V systems)
- Verify current sinking/sourcing capabilities match diode requirements

 Power Supply Integration :
- Check compatibility with switching regulators and LDOs
- Ensure voltage ratings align with system requirements

 RF Circuit Integration :
- Match impedance characteristics with surrounding RF components
- Consider parasitic effects on high-frequency performance

### PCB Layout Recommendations

 Placement Guidelines :
- Position close to protected components to minimize trace inductance
- Maintain adequate clearance from heat-generating components
- Follow manufacturer-recommended pad geometries

 Routing Considerations :
- Use short, direct traces for anode and cathode connections
- Implement ground planes for improved thermal and RF performance
- Avoid sharp corners in high-frequency signal paths

 Thermal Management :
- Utilize copper pours for heat dissipation
- Consider thermal vias for multilayer boards
- Ensure adequate spacing for air circulation

 EMI/RFI Considerations :
- Implement proper shielding for sensitive applications
- Use ground planes to minimize electromagnetic interference
- Follow high-frequency layout best practices

## 3. Technical Specifications

### Key Parameter Explanations

 Electrical Characteristics :
-  Forward Voltage (VF) : 0.

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