Silicon PIN diode The BAP70-03 is a dual common cathode switching diode manufactured by NXP Semiconductors (formerly Philips Semiconductors). Below are the key specifications from the NXP datasheet:

1. **Type**: Dual common cathode switching diode  
2. **Package**: SOT-23 (Surface-Mount)  
3. **Maximum Repetitive Reverse Voltage (VRRM)**: 70 V  
4. **Maximum Forward Continuous Current (IF)**: 200 mA  
5. **Peak Forward Surge Current (IFSM)**: 500 mA (non-repetitive)  
6. **Forward Voltage (VF)**: 1 V (typical at 10 mA)  
7. **Reverse Recovery Time (trr)**: 4 ns (typical)  
8. **Total Power Dissipation (Ptot)**: 250 mW  
9. **Operating Temperature Range**: -65°C to +150°C  

For exact performance characteristics, refer to the official NXP datasheet.

Silicon PIN diode The BAP70-03 is a dual common cathode switching diode manufactured by NXP Semiconductors. Here are its key specifications:  

- **Type**: Dual common cathode Schottky diode  
- **Package**: SOT-23 (Surface-Mount)  
- **Maximum Reverse Voltage (VR)**: 70 V  
- **Forward Current (IF)**: 70 mA per diode  
- **Peak Forward Current (IFM)**: 200 mA  
- **Forward Voltage (VF)**: 1.25 V (typical) at 10 mA  
- **Reverse Current (IR)**: 0.5 µA (max) at 70 V  
- **Total Power Dissipation (Ptot)**: 250 mW  
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +150°C  

These specifications are based on NXP's official datasheet for the BAP70-03.