Silicon PIN diode The BAP51-05W is a PNP switching transistor manufactured by NXP Semiconductors (formerly Philips Semiconductors).  

### Key Specifications:  
- **Type**: PNP Silicon Transistor  
- **Application**: High-speed switching  
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -30 V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -20 V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -5 V  
- **Collector Current (IC)**: -500 mA  
- **Power Dissipation (Ptot)**: 330 mW  
- **Transition Frequency (fT)**: 250 MHz  
- **DC Current Gain (hFE)**: 40–250  
- **Package**: SOT-323 (SC-70)  

This transistor is designed for general-purpose amplification and switching applications.  

(Source: NXP Semiconductors datasheet)

Silicon PIN diode The BAP51-05W is a PNP switching transistor manufactured by PHILIPS (now NXP Semiconductors).  

**Key Specifications:**  
- **Type:** PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package:** SOT-323 (SC-70)  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -30V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -20V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V  
- **Collector Current (IC):** -500mA  
- **Power Dissipation (Ptot):** 250mW  
- **DC Current Gain (hFE):** 100-250 (at IC = -150mA, VCE = -1V)  
- **Transition Frequency (fT):** 150MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

**Applications:**  
- Switching circuits  
- Amplification  
- General-purpose PNP transistor applications  

For exact datasheet details, refer to the official NXP/PHILIPS documentation.