Pin Diodes The BAP5003 is a P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor (FET) manufactured by PHI (Powerhouse Electronics International). Below are the key specifications from Ic-phoenix technical data files:  

- **Type**: P-Channel Enhancement Mode FET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GSS)**: ±20V  
- **Drain Current (I_D)**: -5.0A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 1.5W  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 120mΩ (max) at V_GS = -10V, I_D = -4.3A  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: -1.0V to -2.5V  
- **Package**: TO-252 (DPAK)  

These are the factual specifications provided for the BAP5003 by PHI. No additional recommendations or interpretations are included.