Pin Diodes The BAP50-03 is a silicon PIN diode manufactured by DIODES Incorporated. Key specifications include:

- **Type**: PIN Diode
- **Package**: SOD-523 (SC-79)
- **Reverse Voltage (VR)**: 50V
- **Forward Current (IF)**: 100mA
- **Total Power Dissipation (Ptot)**: 250mW
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C
- **Capacitance (Ct)**: 0.5pF (typical at 0V, 1MHz)
- **Forward Voltage (VF)**: 1V (typical at 10mA)
- **Reverse Recovery Time (trr)**: 4ns (typical)

These specifications are based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves or application notes, refer to DIODES Incorporated's official documentation.

Pin Diodes The BAP50-03 is a dual common cathode switching diode manufactured by NXP. Key specifications include:

- **Type**: Dual common cathode Schottky diode  
- **Package**: SOT-23 (TO-236AB)  
- **Maximum Repetitive Reverse Voltage (VRRM)**: 30 V  
- **Average Forward Current (IF(AV))**: 70 mA per diode  
- **Peak Forward Current (IFSM)**: 500 mA  
- **Forward Voltage (VF)**: 0.38 V (typical) at 10 mA  
- **Reverse Current (IR)**: 0.5 µA (typical) at 10 V  
- **Operating Junction Temperature (Tj)**: -65°C to +150°C  

These diodes are designed for high-speed switching applications.

Pin Diodes The BAP50-03 is a PNP silicon planar epitaxial transistor manufactured by PHILIPS. Here are its key specifications:

- **Type**: PNP silicon planar epitaxial transistor  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE)**: -30 V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB)**: -30 V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB)**: -5 V  
- **Collector Current (I_C)**: -0.5 A  
- **Total Power Dissipation (P_tot)**: 1 W  
- **Junction Temperature (T_j)**: 150 °C  
- **Storage Temperature Range (T_stg)**: -55 °C to +150 °C  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 40 to 250 (at I_C = -0.1 A, V_CE = -1 V)  
- **Transition Frequency (f_T)**: 150 MHz (at I_C = -0.1 A, V_CE = -5 V)  
- **Package**: SOT23 (TO-236AB)  

These specifications are based on the manufacturer's datasheet.

Pin Diodes The BAP50-03 is a silicon PIN diode manufactured by NXP Semiconductors (formerly Philips Semiconductors). Below are its key specifications:  

- **Manufacturer**: NXP/PHILIPS  
- **Type**: PIN Diode  
- **Package**: SOD-323 (SC-76)  
- **Maximum Reverse Voltage (VR)**: 30 V  
- **Maximum Forward Current (IF)**: 100 mA  
- **Total Power Dissipation (Ptot)**: 250 mW  
- **Capacitance (Ct)**: 0.6 pF (at VR = 0 V, f = 1 MHz)  
- **Reverse Recovery Time (trr)**: 4 ns  
- **Forward Voltage (VF)**: 1 V (at IF = 10 mA)  
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +150°C  

This diode is commonly used in RF switching, attenuation, and high-frequency applications.  

(Source: NXP Semiconductors datasheet for BAP50-03.)