Silicon PIN diode The BAP1321-03 is a dual common emitter NPN resistor-equipped transistor (RET) manufactured by NXP Semiconductors (formerly Philips). Below are its key specifications:

- **Type**: Dual NPN transistor with integrated resistors  
- **Package**: SOT143B (SC-62)  
- **Collector Current (Ic)**: 100 mA (per transistor)  
- **Collector-Emitter Voltage (Vceo)**: 12 V  
- **Base-Emitter Voltage (Vbeo)**: 5 V  
- **Integrated Resistors**:  
  - Base resistor (R1): 10 kΩ  
  - Base-emitter resistor (R2): 10 kΩ  
- **Power Dissipation (Ptot)**: 250 mW  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

This device is designed for switching and amplification in compact applications. For detailed performance characteristics, refer to the official NXP datasheet.

Silicon PIN diode The BAP1321-03 is a PNP silicon RF transistor manufactured by NXP Semiconductors. Below are its key specifications:

- **Type**: PNP Silicon RF Transistor  
- **Package**: SOT143B (SC-62)  
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: -12 V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: -12 V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: -3 V  
- **Collector Current (IC)**: -100 mA  
- **Total Power Dissipation (Ptot)**: 250 mW  
- **Transition Frequency (fT)**: 2.5 GHz  
- **Noise Figure (NF)**: 1.2 dB (typical at 900 MHz)  
- **Gain (hFE)**: 40 to 100  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C  

This transistor is designed for RF amplification and switching applications, particularly in mobile communication devices.