Silicon PIN diode The BAP1321-02 is a silicon RF transistor manufactured by NXP Semiconductors (formerly Philips Semiconductors).  

**Key Specifications:**  
- **Type:** NPN Silicon RF Transistor  
- **Application:** RF Amplification  
- **Frequency Range:** Up to 2.5 GHz  
- **Package:** SOT-143B (Surface Mount)  
- **Collector Current (Ic):** 30 mA  
- **Power Dissipation (Ptot):** 300 mW  
- **Gain (hFE):** Typically 30-60  
- **Voltage (Vceo):** 12 V  

This transistor is commonly used in RF applications such as amplifiers and signal processing circuits.  

(Source: NXP/Philips datasheet for BAP1321-02)

Silicon PIN diode The BAP1321-02 is a dual common-emitter RF transistor manufactured by PHI (formerly Philips).  

### Key Specifications:  
- **Manufacturer:** PHI (formerly Philips)  
- **Type:** NPN Silicon RF Transistor  
- **Configuration:** Dual common-emitter  
- **Application:** RF amplification in VHF/UHF bands  
- **Frequency Range:** Up to 1 GHz  
- **Power Dissipation (Ptot):** 1 W  
- **Collector Current (Ic):** 50 mA  
- **Gain (hFE):** Typically 20-60  
- **Package:** SOT-343 (4-pin)  

For exact electrical characteristics, refer to the PHI datasheet.