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BZW06-5V8B from ST,ST Microelectronics

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BZW06-5V8B

Manufacturer: ST

Diode TVS Single Bi-Dir 5.8V 600W 2-Pin DO-15

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
BZW06-5V8B,BZW065V8B ST 11844 In Stock

Description and Introduction

Diode TVS Single Bi-Dir 5.8V 600W 2-Pin DO-15 The BZW06-5V8B is a transient voltage suppressor (TVS) diode manufactured by STMicroelectronics (ST). Here are its key specifications:

- **Part Number**: BZW06-5V8B  
- **Manufacturer**: STMicroelectronics  
- **Type**: Transient Voltage Suppressor (TVS) Diode  
- **Voltage - Reverse Standoff (V_RWM)**: 5.8V  
- **Voltage - Breakdown (V_BR)**: 6.45V (min)  
- **Voltage - Clamping (V_C)**: 9.2V at 1A  
- **Peak Pulse Current (I_PP)**: 5A (8/20μs waveform)  
- **Power - Peak Pulse (P_PP)**: 46W  
- **Operating Temperature**: -55°C to +150°C  
- **Package**: DO-15  
- **Mounting Type**: Through Hole  
- **RoHS Compliance**: Yes  

This information is sourced from ST's official datasheet for the BZW06-5V8B.

Application Scenarios & Design Considerations

Diode TVS Single Bi-Dir 5.8V 600W 2-Pin DO-15# Technical Document: BZW065V8B Transient Voltage Suppressor (TVS) Diode

## 1. Application Scenarios

### 1.1 Typical Use Cases
The BZW065V8B is an 8.5V bidirectional Transient Voltage Suppressor (TVS) diode designed for robust overvoltage protection in low-voltage electronic circuits. Its primary function is to clamp transient voltage spikes to a safe level, thereby protecting sensitive downstream components.

 Key applications include: 
*    ESD Protection:  Safeguarding interfaces such as USB 2.0/3.0, HDMI, Ethernet (10/100/1000BASE-T), and other high-speed data lines from electrostatic discharge (ESD) events as per IEC 61000-4-2 (Level 4: ±8kV contact, ±15kV air).
*    Inductive Load Switching:  Protecting control circuits from voltage transients generated by relay coils, solenoid valves, motors, and other inductive elements during switch-off events (inductive kickback).
*    Voltage Rail Clamping:  Providing secondary protection on low-voltage DC power rails (e.g., 3.3V, 5V) against surges induced by lightning (IEC 61000-4-5), electrical fast transients (EFT/IEC 61000-4-4), or other conducted noise.

### 1.2 Industry Applications
*    Consumer Electronics:  Smartphones, tablets, laptops, gaming consoles, and wearables for port and I/O protection.
*    Telecommunications & Networking:  Routers, switches, modems, and base station equipment for protecting data lines and power inputs.
*    Industrial Automation:  PLCs (Programmable Logic Controllers), sensor interfaces, and motor drive circuits in harsh electrical environments.
*    Automotive Electronics:  In-vehicle infotainment (IVI) systems, control modules, and sensor protection (non-safety critical, noting it is not AEC-Q101 qualified).
*    Power Supplies:  As a secondary clamping device on the output of DC/DC converters or AC/DC adapters.

### 1.3 Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
*    Low Clamping Voltage:  The device features a low dynamic resistance, resulting in a clamping voltage (`V_C`) significantly lower than many comparably rated devices, offering superior protection for modern low-voltage ICs.
*    Bidirectional Operation:  Protects against both positive and negative voltage transients without requiring specific polarity orientation, simplifying board design and assembly.
*    Fast Response Time:  Reacts to transients in picoseconds, far quicker than most other overvoltage protection technologies like MOVs (Metal Oxide Varistors).
*    High Surge Capability:  Can handle significant single-pulse surge currents (e.g., `I_PP` per IEC 61000-4-5), making it suitable for more demanding surge environments.
*    Small Form Factor:  Typically available in compact packages like SMA (DO-214AC) or SMB (DO-214AA), saving valuable PCB space.

 Limitations: 
*    Energy Absorption:  While excellent for short-duration, high-power transients (ESD, EFT), TVS diodes have lower total energy absorption (`W`) ratings compared to MOVs or GDTs (Gas Discharge Tubes). They are not ideal for sustained overvoltage conditions.
*    Leakage Current:  Exhibits a small leakage current (`I_R`) at the stand-off voltage, which can be a critical parameter in ultra-low-power battery-operated devices.
*    Parasitic Capacitance:  The inherent junction capacitance (`C_j`) can range from tens to hundreds of pF. This can distort high-speed signals (e.g., USB 3.0, HDMI), necessitating careful model selection

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