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BYV28-300 from PH

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BYV28-300

Manufacturer: PH

Ultra fast low-loss controlled avalanche rectifiers

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
BYV28-300,BYV28300 PH 400 In Stock

Description and Introduction

Ultra fast low-loss controlled avalanche rectifiers The BYV28-300 is a high-efficiency rectifier diode manufactured by Philips (now NXP Semiconductors). Below are the key specifications:

- **Manufacturer**: Philips (NXP Semiconductors)  
- **Part Number**: BYV28-300  
- **Type**: Ultrafast rectifier diode  
- **Maximum Repetitive Reverse Voltage (VRRM)**: 300 V  
- **Average Forward Current (IF(AV))**: 2 A  
- **Peak Forward Surge Current (IFSM)**: 50 A (non-repetitive)  
- **Forward Voltage Drop (VF)**: 1.3 V (typical at IF = 2 A)  
- **Reverse Recovery Time (trr)**: 35 ns (typical)  
- **Junction Capacitance (Cj)**: 15 pF (typical at VR = 0 V)  
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +150°C  
- **Package**: DO-15  

These specifications are based on the manufacturer's datasheet. For exact performance under specific conditions, refer to the official documentation.

Application Scenarios & Design Considerations

Ultra fast low-loss controlled avalanche rectifiers# Technical Datasheet: BYV28300 Ultrafast Rectifier

## 1. Application Scenarios

### 1.1 Typical Use Cases
The BYV28300 is a 300V, 30A ultrafast recovery epitaxial diode designed for high-frequency switching applications. Its primary use cases include:

*    Freewheeling/Clamping Diodes  in switch-mode power supplies (SMPS), particularly in flyback, forward, and half-bridge topologies operating at frequencies from 20 kHz to 150 kHz.
*    Output Rectification  in high-current, low-voltage DC power supplies (e.g., 12V, 24V, 48V outputs) where low forward voltage drop (V_F) is critical for efficiency.
*    Snubber Circuits  for suppressing voltage spikes and ringing across switching transistors (MOSFETs/IGBTs) in inverters and motor drives.
*    Reverse Polarity Protection  in high-current DC input stages of industrial equipment.

### 1.2 Industry Applications
*    Industrial Power Systems:  Uninterruptible Power Supplies (UPS), welding equipment, and industrial motor drives.
*    Telecommunications:  Rectification stages in 48V DC power distribution and server power supplies.
*    Automotive:  On-board chargers (OBC) for electric vehicles and high-power DC-DC converters (though specific automotive-grade qualification should be verified).
*    Renewable Energy:  Boost and freewheeling diodes in solar micro-inverters and charge controllers.

### 1.3 Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
*    Ultrafast Recovery:  Very low reverse recovery time (t_rr typically 35 ns) and soft recovery characteristics minimize switching losses and electromagnetic interference (EMI).
*    Low Forward Voltage:  High current capability with a low V_F (typically 0.85V at 15A, 25°C), reducing conduction losses and thermal stress.
*    High Surge Current Rating:  Withstands high non-repetitive surge currents (I_FSM up to 300A), enhancing reliability during transient events.
*    Epitaxial Construction:  Provides a good balance between switching speed and ruggedness.

 Limitations: 
*    Voltage Rating:  The 300V V_RRM limits its use to offline applications with input voltages below ~220V AC after rectification. It is not suitable for direct 3-phase or high-voltage DC bus applications.
*    Thermal Management:  At full rated current, the power dissipation is significant (~25W), necessitating an adequate heatsink. The TO-220 package's thermal resistance (R_thj-c ~1.5°C/W) must be carefully considered.
*    Reverse Recovery Charge (Q_rr):  While low, it is higher than that of silicon carbide (SiC) Schottky diodes, making the latter preferable for very high-frequency (>200 kHz) or highest-efficiency designs.

## 2. Design Considerations

### 2.1 Common Design Pitfalls and Solutions
*    Pitfall 1: Inadequate Snubbing.  The diode's fast switching can induce voltage overshoot due to circuit stray inductance.
    *    Solution:  Implement an RC snubber network across the diode. Calculate values based on measured ringing frequency and energy.
*    Pitfall 2: Thermal Runaway.  Underestimating power dissipation (P_loss = V_F * I_F(avg) + Switching Losses) leads to overheating and failure.
    *    Solution:  Perform a detailed thermal analysis. Use the derating curve in the datasheet. Ensure junction temperature (T_j) remains below 150°C (175°C absolute max) with a safety margin.
*    Pitfall 3: Avalanche Stress

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