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BYT261PIV400 from ST,ST Microelectronics

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BYT261PIV400

Manufacturer: ST

FAST RECOVERY RECTIFIER DIODES

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
BYT261PIV400 ST 150 In Stock

Description and Introduction

FAST RECOVERY RECTIFIER DIODES The BYT261PIV400 is a power rectifier diode manufactured by STMicroelectronics. Below are its key specifications:

- **Type**: Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED)
- **Voltage Rating**: 400V (Reverse Voltage - VRRM)
- **Current Rating**: 2A (Average Forward Current - IF(AV))
- **Forward Voltage Drop**: 1.3V (Typical at 2A)
- **Reverse Recovery Time**: 35ns (Typical)
- **Package**: DO-41 (Axial Lead)
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +175°C
- **Applications**: Used in switching power supplies, freewheeling diodes, and high-frequency rectification.

For exact datasheet details, refer to STMicroelectronics' official documentation.

Application Scenarios & Design Considerations

FAST RECOVERY RECTIFIER DIODES# Technical Datasheet: BYT261PIV400 Fast Recovery Diode

## 1. Application Scenarios

### 1.1 Typical Use Cases
The BYT261PIV400 is a high-voltage fast recovery diode designed for applications requiring efficient switching and reverse recovery characteristics. Its primary use cases include:

-  Switching Mode Power Supplies (SMPS) : Used in flyback, forward, and bridge converter topologies as the output rectifier or freewheeling diode
-  Power Factor Correction (PFC) Circuits : Employed in boost PFC stages where fast recovery is essential for maintaining efficiency
-  Motor Drive Circuits : Serves as freewheeling diodes in inverter bridges for AC motor drives
-  Industrial Heating Systems : Used in high-frequency induction heating power supplies
-  Uninterruptible Power Supplies (UPS) : Critical component in the rectifier and inverter sections

### 1.2 Industry Applications
-  Industrial Automation : Motor drives, robotic controllers, and welding equipment
-  Renewable Energy : Solar inverters and wind turbine converters
-  Telecommunications : High-efficiency DC-DC converters in base station power supplies
-  Medical Equipment : High-voltage power supplies for imaging and therapeutic devices
-  Automotive : Electric vehicle charging systems and auxiliary power converters

### 1.3 Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  Fast Recovery Time : Typical trr of 35 ns reduces switching losses in high-frequency applications
-  High Voltage Rating : 400V reverse voltage withstand capability suitable for off-line applications
-  Low Forward Voltage Drop : VF typically 0.95V at 8A reduces conduction losses
-  Soft Recovery Characteristics : Minimizes electromagnetic interference (EMI) generation
-  High Surge Current Capability : IFSM of 100A (non-repetitive) provides robustness against transient overloads

 Limitations: 
-  Thermal Considerations : Requires adequate heatsinking at higher current levels
-  Reverse Recovery Charge : Higher than Schottky diodes, though lower than standard recovery diodes
-  Voltage Derating : Recommended to operate at ≤80% of rated voltage for reliability
-  Frequency Limitations : Optimal performance up to 100 kHz; beyond this, switching losses increase significantly

## 2. Design Considerations

### 2.1 Common Design Pitfalls and Solutions

 Pitfall 1: Inadequate Thermal Management 
-  Problem : Excessive junction temperature leading to reduced reliability and potential failure
-  Solution : Calculate thermal resistance (Rthj-a) and ensure proper heatsinking. Use thermal interface materials and consider forced air cooling for high-power applications

 Pitfall 2: Voltage Spikes During Switching 
-  Problem : Inductive kickback causing voltage overshoot exceeding VRRM
-  Solution : Implement snubber circuits (RC or RCD) across the diode. Place transient voltage suppressors (TVS) in parallel for additional protection

 Pitfall 3: EMI Generation from Fast Switching 
-  Problem : High di/dt during reverse recovery causing electromagnetic interference
-  Solution : Use gate drive resistors to control switching speed, implement proper filtering, and follow EMI suppression layout practices

 Pitfall 4: Avalanche Energy Mismanagement 
-  Problem : Unclamped inductive switching (UIS) causing avalanche breakdown
-  Solution : Ensure the diode operates within its avalanche energy rating (EAS) or implement clamping circuits

### 2.2 Compatibility Issues with Other Components

 With Switching Transistors: 
- Ensure diode reverse recovery time is compatible with transistor switching speed
- Fast recovery diodes may require gate drive optimization to prevent shoot-through in bridge configurations

 With Gate Drivers: 
- Consider dead time requirements in bridge circuits to prevent cross-conduction
- Account for diode recovery current when sizing gate

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
BYT261PIV400 94 In Stock

Description and Introduction

FAST RECOVERY RECTIFIER DIODES The BYT261PIV400 is a fast recovery rectifier diode manufactured by STMicroelectronics. Here are its key specifications:

- **Type**: Fast Recovery Epitaxial Diode (FRED)
- **Maximum Repetitive Reverse Voltage (VRRM)**: 400V
- **Average Forward Current (IF(AV))**: 2A
- **Peak Forward Surge Current (IFSM)**: 50A (non-repetitive)
- **Forward Voltage Drop (VF)**: 1.3V (typical at IF = 2A)
- **Reverse Recovery Time (trr)**: 50ns (typical)
- **Operating Junction Temperature (Tj)**: -40°C to +150°C
- **Package**: DO-41 (axial leaded)

This diode is designed for high-efficiency rectification in switching power supplies, freewheeling, and other high-frequency applications.

Application Scenarios & Design Considerations

FAST RECOVERY RECTIFIER DIODES# Technical Datasheet: BYT261PIV400 Fast Recovery Diode

## 1. Application Scenarios

### 1.1 Typical Use Cases
The BYT261PIV400 is a high-voltage fast recovery rectifier diode primarily employed in power conversion circuits requiring efficient switching and minimal reverse recovery losses. Its optimized construction makes it suitable for:

*  Freewheeling/Clamping Diodes  in switch-mode power supplies (SMPS), particularly in flyback and forward converter topologies
*  Output Rectification  in high-frequency DC-DC converters operating up to 100 kHz
*  Snubber Circuits  for suppressing voltage spikes across switching transistors (MOSFETs/IGBTs)
*  Reverse Polarity Protection  in industrial power supplies and motor drives
*  Energy Recovery  in inductive load switching applications

### 1.2 Industry Applications
*  Industrial Power Systems:  Uninterruptible power supplies (UPS), welding equipment, and AC motor drives
*  Renewable Energy:  Inverter stages for solar micro-inverters and wind turbine converters
*  Automotive Electronics:  On-board chargers (OBC) for electric vehicles and DC-DC converters
*  Consumer Electronics:  High-efficiency adapters for laptops, gaming consoles, and LED drivers
*  Telecommunications:  Power factor correction (PFC) stages and rectification in server power supplies

### 1.3 Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
*  Fast Recovery Time:  Typical trr of 35 ns reduces switching losses in high-frequency applications
*  High Voltage Rating:  400 V repetitive peak reverse voltage (VRRM) provides robust overvoltage margin
*  Low Forward Voltage:  VF of 0.95 V at 8 A minimizes conduction losses
*  Soft Recovery Characteristics:  Reduces electromagnetic interference (EMI) generation
*  TO-220AC Package:  Excellent thermal performance with junction-to-case thermal resistance of 1.5°C/W

 Limitations: 
*  Limited Surge Current:  IFSM of 150 A (non-repetitive) may require additional protection in high-inrush applications
*  Temperature Sensitivity:  Reverse leakage current increases exponentially with temperature (typical 100 μA at 125°C)
*  Package Constraints:  Through-hole mounting requires manual assembly or wave soldering processes
*  Frequency Ceiling:  Performance degrades above 150 kHz due to recovery characteristics

## 2. Design Considerations

### 2.1 Common Design Pitfalls and Solutions

| Pitfall | Consequence | Solution |
|---------|-------------|----------|
|  Insufficient Heat Sinking  | Thermal runaway, premature failure | Calculate worst-case power dissipation (P = VF × IF + switching losses) and select heatsink maintaining TJ < 125°C |
|  Voltage Spikes Exceeding VRRM  | Avalanche breakdown, catastrophic failure | Implement snubber circuits (RC or RCD) and maintain 20-30% voltage derating margin |
|  Excessive di/dt During Recovery  | Voltage overshoot, EMI issues | Add small series inductor (10-100 nH) or use gate resistors to control switching transistor turn-on speed |
|  Poor Layout Creating Ground Bounce  | False triggering, increased noise | Use Kelvin connections for sensitive measurements and star grounding techniques |

### 2.2 Compatibility Issues with Other Components
*  Switching Transistors:  Match recovery characteristics with MOSFET/IGBT switching speeds. Fast diodes with slow switches waste benefits
*  Gate Drivers:  Ensure driver capability to handle reverse recovery current without voltage droop
*  Control ICs:  Some PWM controllers require minimum dead-time; verify diode recovery doesn't cause shoot-through
*  Electrolytic Capacitors:  High-frequency ripple current may exceed capacitor ratings; consider parallel film capacitors
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