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BYM11-50 from VISHAY

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BYM11-50

Manufacturer: VISHAY

SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED JUNCTION FAST SWITCHING RECTIFIER

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
BYM11-50,BYM1150 VISHAY 55000 In Stock

Description and Introduction

SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED JUNCTION FAST SWITCHING RECTIFIER The part BYM11-50 is a rectifier diode manufactured by VISHAY. Below are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:

1. **Manufacturer**: VISHAY  
2. **Part Number**: BYM11-50  
3. **Type**: Rectifier Diode  
4. **Maximum Average Forward Current (IF(AV))**: 1 A  
5. **Peak Forward Surge Current (IFSM)**: 30 A  
6. **Maximum Reverse Voltage (VRRM)**: 50 V  
7. **Forward Voltage Drop (VF)**: 1 V (typical at 1 A)  
8. **Reverse Recovery Time (trr)**: 50 ns (typical)  
9. **Package**: DO-41  
10. **Operating Temperature Range**: -65°C to +175°C  

These are the confirmed specifications for the BYM11-50 rectifier diode from VISHAY.

Application Scenarios & Design Considerations

SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED JUNCTION FAST SWITCHING RECTIFIER# Technical Documentation: BYM1150 Rectifier Diode

## 1. Application Scenarios

### 1.1 Typical Use Cases
The BYM1150 is a high-voltage, fast-recovery rectifier diode primarily employed in power conversion circuits where efficient switching and reverse voltage blocking are critical. Its most common applications include:

-  Freewheeling/Clamping Diodes : In switch-mode power supplies (SMPS), the BYM1150 serves as a freewheeling diode in flyback, forward, and buck converter topologies, providing a path for inductive current when the main switch turns off, thereby suppressing voltage spikes and protecting switching transistors.
-  Output Rectification : Used in the secondary side of AC-DC converters and DC-DC converters for rectifying high-frequency transformer outputs, especially in designs requiring voltages up to 1500 V.
-  Snubber Circuits : Functions as part of RC or RCD snubber networks to limit voltage transients across semiconductor switches (e.g., MOSFETs, IGBTs), reducing stress and electromagnetic interference (EMI).
-  High-Voltage Multipliers : Suitable for Cockcroft-Walton voltage multiplier stages in applications like CRT displays, laser power supplies, and electrostatic precipitators.

### 1.2 Industry Applications
-  Industrial Power Supplies : Uninterruptible power supplies (UPS), welding equipment, and motor drives where robust high-voltage rectification is needed.
-  Renewable Energy Systems : Inverters and charge controllers for solar and wind energy systems, particularly in DC link and boost converter stages.
-  Medical Electronics : High-voltage power supplies for X-ray generators, imaging systems, and therapeutic devices requiring reliable, low-leakage rectification.
-  Automotive : Electric vehicle (EV) onboard chargers and DC-DC converters, though temperature and vibration specifications must be verified for automotive-grade variants.
-  Lighting : Ballasts and drivers for high-intensity discharge (HID) and LED lighting systems.

### 1.3 Practical Advantages and Limitations
 Advantages: 
-  Fast Recovery Time : Typical reverse recovery time (trr) of 35 ns minimizes switching losses and improves efficiency in high-frequency circuits (>100 kHz).
-  High Voltage Rating : Repetitive peak reverse voltage (VRRM) of 1500 V allows use in demanding high-voltage applications.
-  Low Forward Voltage Drop : VF of approximately 1.3 V at 1 A reduces conduction losses and thermal dissipation.
-  Robust Construction : Diffused junction technology provides good surge current handling (IFSM up to 30 A) and thermal stability.

 Limitations: 
-  Thermal Management : The TO-220AC package requires adequate heatsinking at higher currents; junction-to-case thermal resistance (RθJC) is 3 °C/W.
-  Reverse Recovery Charge (Qrr) : While fast, Qrr can still generate EMI and losses in very high-frequency designs (>500 kHz); consider SiC diodes for such cases.
-  Voltage Overshoot : Fast switching can induce voltage ringing with parasitic inductances, necessitating careful layout and snubbing.

## 2. Design Considerations

### 2.1 Common Design Pitfalls and Solutions
-  Pitfall 1: Inadequate Snubbing   
  *Issue:* Voltage overshoot during reverse recovery can exceed VRRM, causing diode failure.  
  *Solution:* Implement an RCD snubber across the diode; calculate snubber values based on parasitic inductance and diode Qrr.

-  Pitfall 2: Thermal Runaway   
  *Issue:* High forward currents or poor heatsinking elevate junction temperature (TJ), increasing leakage current (IR) and potentially leading to thermal runaway.  
  *Solution:* Ensure TJ ≤ 150 °C (max). Use thermal paste and a heatsink; calculate power

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