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BYG60J from VISHAY

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BYG60J

Manufacturer: VISHAY

Fast soft-recovery controlled avalanche rectifiers

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
BYG60J VISHAY 50000 In Stock

Description and Introduction

Fast soft-recovery controlled avalanche rectifiers The BYG60J is a rectifier diode manufactured by Vishay. Here are its key specifications:

- **Manufacturer**: Vishay
- **Type**: Rectifier Diode
- **Maximum Average Forward Current (IF(AV))**: 60 A
- **Peak Forward Surge Current (IFSM)**: 600 A (non-repetitive)
- **Maximum Reverse Voltage (VRRM)**: 600 V
- **Forward Voltage Drop (VF)**: 1.05 V (typical at 30 A)
- **Reverse Recovery Time (trr)**: 35 ns (typical)
- **Operating Junction Temperature (Tj)**: -65°C to +175°C
- **Package**: TO-220AC (isolated tab)

These specifications are based on standard operating conditions. For detailed performance curves or additional parameters, refer to the official Vishay datasheet.

Application Scenarios & Design Considerations

Fast soft-recovery controlled avalanche rectifiers# Technical Document: BYG60J Schottky Barrier Rectifier

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The BYG60J is a 60V, 6A Schottky barrier rectifier primarily employed in  high-frequency switching power conversion circuits  where low forward voltage drop and fast recovery characteristics are critical. Its primary function is to serve as an  output rectifier  in switched-mode power supplies (SMPS), DC-DC converters, and freewheeling diodes in inductive load circuits. Common configurations include:
*    Buck converter output stages:  Rectifying the switched output to DC.
*    Flyback converter secondary-side rectification:  Converting transformer output to DC.
*    Reverse polarity protection:  Due to its low forward voltage, it minimizes power loss in series protection circuits.
*    OR-ing diodes in redundant power supplies:  Its fast switching minimizes voltage sag during source switching.

### Industry Applications
*    Consumer Electronics:  Power adapters, LED TV power boards, gaming console power supplies.
*    Computing & Telecommunications:  Server power supplies (PSUs), point-of-load (POL) converters, telecom rectifier modules.
*    Industrial Electronics:  Low-voltage motor drive circuits, solenoid driver freewheeling diodes, industrial SMPS.
*    Automotive (Aftermarket/Non-Safety Critical):  Auxiliary power converters, infotainment system power management (subject to specific environmental qualification beyond standard datasheet specs).

### Practical Advantages and Limitations
 Advantages: 
*    Low Forward Voltage Drop (VF):  Typically ~0.55V at 6A, 25°C. This significantly reduces conduction losses compared to standard PN junction rectifiers, improving system efficiency, especially in low-output-voltage applications (e.g., 3.3V, 5V rails).
*    Fast Switching Speed:  Essentially no reverse recovery charge (Qrr) as in fast-recovery diodes. This minimizes switching losses, reduces electromagnetic interference (EMI), and allows operation at higher frequencies (easily into several hundred kHz).
*    High Surge Current Capability:  Withstands non-repetitive surge currents (IFSM) per datasheet, offering robustness against start-up and transient conditions.

 Limitations: 
*    Higher Reverse Leakage Current:  Schottky diodes inherently have higher reverse leakage (IR) than PN diodes, which increases exponentially with junction temperature. This can lead to significant standby power loss and thermal runaway concerns in high-temperature environments.
*    Lower Maximum Reverse Voltage:  The 60V rating is moderate. Schottky technology generally trades off higher blocking voltage capability for lower VF. Not suitable for off-line or high-voltage applications.
*    Thermal Sensitivity:  Performance parameters (especially IR and VF) are highly temperature-dependent. Careful thermal management is mandatory.

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## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions
1.   Pitfall: Thermal Runaway from Reverse Leakage. 
    *    Issue:  At high ambient temperatures, IR increases, causing more self-heating, which further increases IR, creating a positive feedback loop.
    *    Solution:   Derate the operating current  significantly at high ambient temperatures. Use the datasheet's derating curves. Ensure the PCB provides adequate heatsinking. Consider paralleling diodes only with great caution and individual balancing resistors.

2.   Pitfall: Voltage Overshoot and Ringing. 
    *    Issue:  The very fast switching can interact with circuit parasitics (trace inductance, transformer leakage inductance), causing high

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
BYG60J 1500 In Stock

Description and Introduction

Fast soft-recovery controlled avalanche rectifiers The part BYG60J is manufactured by **Sanken Electric Co., Ltd.**  

**Specifications:**  
- **Type:** IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)  
- **Voltage (Vces):** 600V  
- **Current (Ic):** 60A  
- **Package:** TO-3P  
- **Applications:** Power switching in inverters, motor drives, and industrial equipment  

For exact datasheet details, refer to the manufacturer's official documentation.

Application Scenarios & Design Considerations

Fast soft-recovery controlled avalanche rectifiers# Technical Document: BYG60J Rectifier Diode

## 1. Application Scenarios

### 1.1 Typical Use Cases
The BYG60J is a high-voltage, fast-recovery rectifier diode primarily employed in power conversion circuits where efficient switching and reverse recovery characteristics are critical. Its typical applications include:

*    Freewheeling/Clamping Diodes:  In switch-mode power supplies (SMPS), particularly flyback and forward converters, the BYG60J is used across inductive loads (like transformer primary or secondary windings, or motor coils) to provide a path for current when the main switching element (MOSFET/IGBT) turns off. This prevents damaging voltage spikes by clamping the inductive kickback.
*    Output Rectification:  In the secondary side of AC-DC or DC-DC converters operating at moderate frequencies (up to several tens of kHz), it can serve as a rectifier, converting the high-frequency AC from the transformer to DC.
*    Snubber Circuits:  Used in RCD (Resistor-Capacitor-Diode) snubber networks to dissipate energy from parasitic inductances, protecting main switches from overvoltage stress during turn-off.
*    Inverter and Motor Drive Circuits:  Functions as a feedback or commutating diode in half-bridge or full-bridge inverter stages for motor drives and uninterruptible power supplies (UPS).

### 1.2 Industry Applications
*    Consumer Electronics:  SMPS for televisions, desktop computers, gaming consoles, and LED drivers.
*    Industrial Power Systems:  Auxiliary power supplies for motor controllers, programmable logic controller (PLC) power modules, and welding equipment.
*    Renewable Energy:  In the DC-link and auxiliary circuits of solar microinverters and wind turbine control systems.
*    Automotive:  On-board chargers (OBC) for electric vehicles and DC-DC converters in 48V mild-hybrid systems (subject to specific automotive-grade qualification).

### 1.3 Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
*    Fast Recovery:  Features a low reverse recovery time (tᵣᵣ) and soft recovery characteristics, which minimizes switching losses and reduces electromagnetic interference (EMI) generation.
*    High Voltage Rating:  A repetitive peak reverse voltage (Vᵣʳᵐ) of 600V makes it suitable for off-line applications and circuits with high voltage rails.
*    Good Surge Current Handling:  Capable of withstanding high non-repetitive peak surge currents (Iᶠˢᵐ), enhancing reliability during transient events like start-up or load faults.
*    Low Forward Voltage Drop:  Contributes to higher efficiency by reducing conduction losses.

 Limitations: 
*    Frequency Ceiling:  While fast, it is not an ultra-fast or Schottky diode. Its performance and losses become less optimal at very high switching frequencies (e.g., >100 kHz) compared to specialized diodes.
*    Thermal Management:  Like all silicon diodes, its current rating is heavily dependent on junction temperature. Adequate heatsinking is required for high-current applications.
*    Reverse Recovery Charge (Qᵣʳ):  This stored charge, though managed, is non-zero and must be considered in high-frequency, high-efficiency designs as it contributes to switching losses in the companion transistor.

## 2. Design Considerations

### 2.1 Common Design Pitfalls and Solutions
*    Pitfall 1: Ignoring Reverse Recovery Current.  The diode's reverse recovery current spike can increase stress on the main switch, leading to overheating and potential failure.
    *    Solution:  Model the circuit with the diode's Qᵣʳ and tᵣᵣ parameters. Ensure the main switch's peak current rating

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
BYG60J NXP/PHILIPS 17950 In Stock

Description and Introduction

Fast soft-recovery controlled avalanche rectifiers The BYG60J is a rectifier diode manufactured by NXP/Philips. Here are its key specifications:  

- **Type**: Fast recovery rectifier diode  
- **Maximum repetitive peak reverse voltage (VRRM)**: 600V  
- **Average forward current (IF(AV))**: 60A  
- **Peak forward surge current (IFSM)**: 600A (non-repetitive)  
- **Forward voltage drop (VF)**: Typically 1.3V at 60A  
- **Reverse recovery time (trr)**: Typically 35ns  
- **Operating junction temperature range (Tj)**: -40°C to +150°C  
- **Package**: TO-220AB (isolated tab)  

These specifications are based on standard datasheet information for the BYG60J diode from NXP/Philips.

Application Scenarios & Design Considerations

Fast soft-recovery controlled avalanche rectifiers# Technical Document: BYG60J Schottky Barrier Diode

## 1. Application Scenarios

### 1.1 Typical Use Cases
The BYG60J is a high-speed switching Schottky barrier diode primarily employed in applications requiring fast recovery and low forward voltage drop. Its primary use cases include:

*  High-Frequency Rectification : Used in switch-mode power supplies (SMPS) operating at frequencies above 100 kHz, particularly in flyback and forward converter topologies
*  Freewheeling/Clamping Diodes : Provides protection for switching transistors (MOSFETs/BJTs) in inductive load circuits by clamping voltage spikes
*  Reverse Polarity Protection : Serves as a blocking diode in DC power input stages due to its low forward voltage (Vf)
*  OR-ing Diodes : In redundant power supply systems where multiple sources connect to a common load
*  Signal Demodulation : Occasionally used in RF detection circuits where moderate frequency response is acceptable

### 1.2 Industry Applications

 Power Electronics: 
- Computer power supplies (ATX, server PSUs)
- Telecom rectifiers and DC-DC converters
- Industrial motor drives (auxiliary circuits)
- LED driver circuits
- Battery charging systems

 Consumer Electronics: 
- LCD/LED television power boards
- Desktop and laptop computer adapters
- Gaming console power supplies
- Set-top box power conversion stages

 Automotive Electronics: 
- DC-DC converters in infotainment systems
- LED lighting drivers (interior/exterior)
- Auxiliary power modules (non-safety critical)

### 1.3 Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  Low Forward Voltage Drop : Typically 0.55V at 3A, reducing conduction losses compared to standard PN diodes
-  Fast Switching Speed : Reverse recovery time (trr) < 35 ns minimizes switching losses in high-frequency applications
-  High Surge Current Capability : Withstands IFSM of 150A (non-repetitive) for short durations
-  Moderate Temperature Operation : Suitable for junction temperatures up to 150°C
-  Cost-Effective : Competitive pricing for medium-power applications

 Limitations: 
-  Higher Reverse Leakage : Compared to PN diodes, especially at elevated temperatures (can reach 10 mA at 125°C)
-  Limited Reverse Voltage : Maximum VRRM of 60V restricts use in higher voltage applications
-  Thermal Sensitivity : Performance degrades significantly above 125°C junction temperature
-  Voltage Overshoot : Can exhibit ringing during reverse recovery when improperly snubbed

## 2. Design Considerations

### 2.1 Common Design Pitfalls and Solutions

 Pitfall 1: Thermal Runaway in Parallel Configurations 
-  Issue : Schottky diodes have negative temperature coefficient for forward voltage at low currents, causing current hogging
-  Solution : Use individual current-sharing resistors or ensure adequate thermal coupling between parallel devices

 Pitfall 2: Reverse Recovery Oscillations 
-  Issue : Fast recovery can cause LC resonance with circuit parasitics
-  Solution : Implement RC snubber networks across the diode (typically 10-100Ω in series with 100pF-1nF)

 Pitfall 3: Avalanche Energy Limitations 
-  Issue : BYG60J has limited avalanche energy capability (EAS typically 30mJ)
-  Solution : Add transient voltage suppressors (TVS) or RC snubbers for inductive load switching

 Pitfall 4: High-Frequency EMI 
-  Issue : Fast edges generate electromagnetic interference
-  Solution : Use ferrite beads in series, maintain minimal loop area in layout, consider shielded inductors

### 2.2 Compatibility Issues with

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