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BYG23M from VISHAY

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BYG23M

Manufacturer: VISHAY

Discrete Devices -Diode-High Efficienct Recovery

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
BYG23M VISHAY 90000 In Stock

Description and Introduction

Discrete Devices -Diode-High Efficienct Recovery The BYG23M is a rectifier diode manufactured by Vishay. Here are its key specifications:

- **Type**: Fast Recovery Rectifier Diode
- **Maximum Repetitive Reverse Voltage (VRRM)**: 200 V
- **Average Forward Current (IF(AV))**: 2 A
- **Peak Forward Surge Current (IFSM)**: 50 A (non-repetitive)
- **Forward Voltage Drop (VF)**: 1.3 V (at 2 A)
- **Reverse Recovery Time (trr)**: 50 ns (typical)
- **Operating Junction Temperature (Tj)**: -65°C to +150°C
- **Package**: DO-41  

These specifications are based on standard conditions unless otherwise noted.

Application Scenarios & Design Considerations

Discrete Devices -Diode-High Efficienct Recovery# Technical Documentation: BYG23M Schottky Barrier Rectifier

## 1. Application Scenarios

### 1.1 Typical Use Cases
The BYG23M is a 200 V, 2 A Schottky barrier rectifier primarily employed in  high-frequency switching applications  where low forward voltage drop and fast recovery characteristics are critical. Its primary function is to convert alternating current (AC) to direct current (DC) with minimal power loss and switching noise.

 Common circuit implementations include: 
*    Freewheeling/Clamp Diodes:  In switch-mode power supplies (SMPS), particularly flyback and buck converter topologies, the BYG23M protects switching transistors (MOSFETs) by providing a path for inductive load current when the switch turns off.
*    Output Rectification:  Used in the secondary side of low-voltage, high-current DC output stages (e.g., 5V, 12V, 24V rails) to rectify the high-frequency transformer output.
*    Reverse Polarity Protection:  Placed in series with the power input, it prevents damage from accidental reverse battery connection due to its low forward voltage compared to standard PN-junction diodes.
*    OR-ing Diodes:  In redundant power supply systems, it allows multiple power sources to be connected in parallel without back-feeding.

### 1.2 Industry Applications
*    Consumer Electronics:  SMPS for laptops, LED TVs, gaming consoles, and adapters.
*    Computing & Telecom:  Server power supplies, DC-DC converter modules, and telecom rectifiers.
*    Industrial Electronics:  Motor drive circuits, industrial control power supplies, and battery charging systems.
*    Automotive (Aftermarket/Non-Critical):  DC-DC converters for infotainment systems and auxiliary power modules (subject to non-AEC-Q qualified status verification).

### 1.3 Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
*    Low Forward Voltage Drop (VF):  Typically ~0.55V at 1A. This reduces conduction losses significantly, improving efficiency and minimizing heat generation.
*    Fast Switching Speed:  Virtually no reverse recovery time (trr) as conduction is by majority carriers. This eliminates reverse recovery current spikes, reduces EMI, and allows operation at frequencies >100 kHz.
*    High Surge Current Capability:  Can withstand high inrush currents (IFSM), making it robust during startup conditions.

 Limitations: 
*    Higher Reverse Leakage Current (IR):  Compared to PN diodes, Schottky diodes have significantly higher leakage, which increases with temperature. This can be a critical factor in high-temperature or very low-power standby applications.
*    Lower Maximum Reverse Voltage:  The 200V rating is at the upper end for standard Schottky diodes. For higher voltage requirements, PN fast recovery or SiC diodes are necessary.
*    Thermal Sensitivity:  Performance parameters, especially IR, are more temperature-dependent. Adequate thermal management is essential.

## 2. Design Considerations

### 2.1 Common Design Pitfalls and Solutions
| Pitfall | Consequence | Solution |
| :--- | :--- | :--- |
|  Ignoring Reverse Leakage  | Excessive power loss at high temperature, potential thermal runaway. | Calculate worst-case leakage power loss (P = VR × IR) at max junction temperature (TJ). Ensure thermal design accounts for this. |
|  Inadequate Heat Sinking  | Overheating leads to increased leakage, reduced reliability, and potential failure. | Use thermal calculations based on θ<

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