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BYG22D from VISHAY

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BYG22D

Manufacturer: VISHAY

Diodes

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
BYG22D VISHAY 90000 In Stock

Description and Introduction

Diodes The BYG22D is a rectifier diode manufactured by Vishay. Here are its key specifications:

- **Type**: Fast recovery rectifier diode
- **Maximum repetitive peak reverse voltage (VRRM)**: 200 V
- **Average forward current (IF(AV))**: 2 A
- **Peak forward surge current (IFSM)**: 50 A (non-repetitive)
- **Forward voltage drop (VF)**: 1.3 V (typical at 2 A)
- **Reverse recovery time (trr)**: 50 ns (typical)
- **Operating junction temperature range (Tj)**: -65°C to +150°C
- **Package**: DO-41

These specifications are based on standard operating conditions. For detailed performance characteristics, refer to the official Vishay datasheet.

Application Scenarios & Design Considerations

Diodes# Technical Documentation: BYG22D Fast Recovery Diode

## 1. Application Scenarios

### 1.1 Typical Use Cases
The BYG22D is a fast recovery epitaxial diode designed for high-efficiency switching applications. Its primary use cases include:

*    Freewheeling/Clamping Diodes:  In switch-mode power supplies (SMPS), motor drives, and inductive load circuits, the BYG22D provides a path for current when the main switching element (e.g., MOSFET, IGBT) turns off, protecting it from voltage spikes.
*    Output Rectification:  Suitable for secondary-side rectification in switched-mode power converters, particularly in flyback, forward, and half-bridge topologies operating at moderate frequencies (typically up to 100 kHz).
*    Snubber Circuits:  Used in RCD (Resistor-Capacitor-Diode) snubber networks to dampen voltage transients and reduce switching losses and electromagnetic interference (EMI).
*    Reverse Battery Protection:  Can be employed in series with a DC power input to block current flow if the battery or power supply is connected in reverse polarity.

### 1.2 Industry Applications
*    Consumer Electronics:  Power adapters, LED drivers, and internal power rails for televisions, audio equipment, and gaming consoles.
*    Industrial Electronics:  Auxiliary power supplies for PLCs (Programmable Logic Controllers), motor control units, and welding equipment.
*    Automotive:  DC-DC converters, battery management systems (BMS), and lighting control modules (non-safety-critical).
*    Renewable Energy:  Inverters for solar micro-inverters and charge controllers.

### 1.3 Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
*    Fast Recovery:  The epitaxial construction and controlled doping yield a low reverse recovery time (tᵣᵣ) and charge (Qᵣᵣ), reducing switching losses and enabling higher frequency operation compared to standard PN-junction diodes.
*    Low Forward Voltage Drop (V_F):  Enhances efficiency by minimizing conduction losses, especially beneficial in high-current applications.
*    High Surge Current Capability (I_FSM):  Can withstand significant non-repetitive surge currents, improving reliability in the face of inrush currents or fault conditions.
*    Compact Package (DO-15):  Offers a good balance of power handling and board space.

 Limitations: 
*    Frequency Ceiling:  While fast, it is not suitable for very high-frequency applications (>200-300 kHz) where Schottky or silicon carbide (SiC) diodes would be more appropriate due to their near-zero recovery characteristics.
*    Thermal Management:  The DO-15 package has a limited thermal dissipation capability. Continuous operation at high current requires careful attention to heatsinking and PCB thermal design.
*    Reverse Recovery Current:  The finite tᵣᵣ still generates a reverse recovery current spike, which contributes to EMI and requires mitigation in noise-sensitive designs.

## 2. Design Considerations

### 2.1 Common Design Pitfalls and Solutions
*    Pitfall 1: Thermal Runaway.  Operating near maximum ratings without adequate cooling.
    *    Solution:  Derate the average forward current (I_F(AV)) based on the actual operating ambient temperature and thermal resistance. Use thermal vias, copper pours, or an external heatsink.
*    Pitfall 2: Voltage Overshoot Destruction.  Inductive switching causing voltage spikes exceeding V_RRM.
    *    Solution:  Implement a snubber circuit (RC or RCD) across the diode or the inductive load. Ensure the snubber is tuned to the specific switching frequency and inductance.
*    Pitfall 3: High-Frequency Ringing.  Paras

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