Discrete Devices -Diode-High Efficienct Recovery The BYG20G is a rectifier diode manufactured by TELEFUNKEN. Below are its key specifications:  

- **Type**: Silicon Rectifier Diode  
- **Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage (VRRM)**: 200 V  
- **Maximum Average Forward Current (IF(AV))**: 1 A  
- **Peak Forward Surge Current (IFSM)**: 30 A (non-repetitive)  
- **Forward Voltage Drop (VF)**: Typically 1 V at 1 A  
- **Reverse Recovery Time (trr)**: ≤ 500 ns  
- **Operating Junction Temperature (Tj)**: -55°C to +150°C  
- **Package**: DO-41 (Axial Lead)  

This information is based on the TELEFUNKEN datasheet for the BYG20G diode.

Discrete Devices -Diode-High Efficienct Recovery The BYG20G is a rectifier diode manufactured by Vishay. Here are its key specifications:

- **Type**: Fast Recovery Rectifier Diode
- **Maximum Repetitive Reverse Voltage (VRRM)**: 200 V
- **Average Forward Current (IF(AV))**: 2 A
- **Peak Forward Surge Current (IFSM)**: 50 A (non-repetitive)
- **Forward Voltage Drop (VF)**: 1.3 V (typical at 2 A)
- **Reverse Recovery Time (trr)**: 50 ns (typical)
- **Operating Junction Temperature (TJ)**: -65 °C to +150 °C
- **Package**: DO-15

These specifications are based on Vishay's datasheet for the BYG20G diode.