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BYG10J from VISHAY

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BYG10J

Manufacturer: VISHAY

Diodes

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
BYG10J VISHAY 36200 In Stock

Description and Introduction

Diodes The BYG10J is a rectifier diode manufactured by Vishay. Here are its specifications:

- **Manufacturer**: Vishay
- **Type**: Rectifier Diode
- **Maximum Average Forward Current (IF(AV))**: 1 A
- **Peak Forward Surge Current (IFSM)**: 30 A (non-repetitive)
- **Maximum Reverse Voltage (VRRM)**: 600 V
- **Forward Voltage Drop (VF)**: 1.1 V (typical at 1 A)
- **Reverse Leakage Current (IR)**: 5 µA (maximum at rated voltage)
- **Operating Junction Temperature (TJ)**: -55°C to +150°C
- **Package**: DO-41

This information is based on Vishay's datasheet for the BYG10J rectifier diode.

Application Scenarios & Design Considerations

Diodes# Technical Documentation: BYG10J Fast Recovery Diode

## 1. Application Scenarios

### 1.1 Typical Use Cases
The BYG10J is a fast recovery epitaxial diode designed for high-efficiency switching applications. Its primary use cases include:

 Freewheeling/Clamping Diodes 
- Used in switch-mode power supplies (SMPS) to provide a path for inductive current when the main switch turns off
- Protects switching transistors (MOSFETs/IGBTs) from voltage spikes in flyback, forward, and bridge converter topologies
- Essential in buck, boost, and buck-boost converters for continuous conduction mode operation

 Rectification Circuits 
- High-frequency rectification in AC-DC converters (up to several hundred kHz)
- Output rectification in switched-mode power supplies
- Input bridge rectifiers for power factor correction (PFC) circuits

 Snubber Circuits 
- Voltage spike suppression across switching elements
- RCD snubber networks to reduce switching losses and EMI

### 1.2 Industry Applications

 Power Electronics 
- Uninterruptible power supplies (UPS) and inverters
- Motor drives and industrial controls
- Welding equipment and induction heating systems
- Solar inverters and renewable energy systems

 Consumer Electronics 
- Switching power adapters for laptops, monitors, and TVs
- LED lighting drivers and ballasts
- Battery charging circuits

 Automotive Electronics 
- DC-DC converters in electric/hybrid vehicles
- On-board chargers and power distribution systems
- Ignition systems and electronic control units

 Telecommunications 
- Power supplies for telecom infrastructure
- Base station power systems
- Network equipment power conversion

### 1.3 Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  Fast Recovery Time:  Typically 35ns (max) enables high-frequency operation
-  Low Forward Voltage:  Approximately 1.3V at 1A reduces conduction losses
-  High Surge Current Capability:  Withstands 30A non-repetitive surge current
-  Soft Recovery Characteristics:  Minimizes EMI generation during switching
-  High Temperature Operation:  Rated for junction temperatures up to 175°C
-  Compact Package:  DO-41 package offers good thermal performance in small footprint

 Limitations: 
-  Voltage Rating:  Maximum 600V PRV limits high-voltage applications
-  Current Handling:  1A average forward current restricts high-power applications
-  Thermal Considerations:  Requires proper heatsinking at high ambient temperatures
-  Reverse Recovery Charge:  Higher than Schottky diodes, increasing switching losses
-  Package Constraints:  Through-hole DO-41 package not suitable for high-density SMT designs

## 2. Design Considerations

### 2.1 Common Design Pitfalls and Solutions

 Pitfall 1: Inadequate Thermal Management 
-  Problem:  Overheating due to insufficient heatsinking or poor airflow
-  Solution:  Calculate power dissipation (P = Vf × If + Qrr × f × Vr) and ensure junction temperature remains below 150°C in continuous operation
-  Implementation:  Use thermal vias, adequate copper area, or external heatsinks for high-current applications

 Pitfall 2: Voltage Overshoot During Switching 
-  Problem:  Excessive voltage spikes during reverse recovery
-  Solution:  Implement snubber circuits (RC or RCD) across the diode
-  Implementation:  Calculate snubber values based on di/dt, stray inductance, and recovery characteristics

 Pitfall 3: EMI Generation from Hard Switching 
-  Problem:  Radiated and conducted EMI from rapid current transitions
-  Solution:  Select diodes with soft recovery characteristics like BYG10J
-  Implementation:  Add ferrite beads, proper filtering, and follow EMI layout guidelines

 Pit

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