Ultra fast low-loss controlled avalanche rectifiers The BYD77D is a component manufactured by NXP/PHILIPS. Below are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:

1. **Manufacturer**: NXP Semiconductors (formerly PHILIPS Semiconductors)  
2. **Part Number**: BYD77D  
3. **Type**: Diode  
4. **Category**: Rectifier Diode  
5. **Maximum Repetitive Reverse Voltage (VRRM)**: 1000V  
6. **Average Forward Current (IF(AV))**: 1A  
7. **Peak Forward Surge Current (IFSM)**: 30A (non-repetitive)  
8. **Forward Voltage Drop (VF)**: 1.1V (typical at 1A)  
9. **Reverse Recovery Time (trr)**: 500ns (typical)  
10. **Package**: DO-41  
11. **Operating Temperature Range**: -65°C to +175°C  

These specifications are based on standard datasheet information for the BYD77D diode. For precise application details, consult the official NXP datasheet.

Ultra fast low-loss controlled avalanche rectifiers The part BYD77D is manufactured by NXP.  

**Specifications:**  
- **Type:** RF Transistor  
- **Technology:** LDMOS  
- **Frequency Range:** 1.8 GHz to 2.2 GHz  
- **Output Power:** 50 W (P3dB)  
- **Voltage:** 28 V  
- **Gain:** 15 dB (typical)  
- **Efficiency:** 35% (typical)  
- **Package:** SOT-502A (Flange)  

This transistor is designed for applications such as cellular base stations and RF power amplification.