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BYD33G from PH

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BYD33G

Manufacturer: PH

Fast soft-recovery controlled avalanche rectifiers

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
BYD33G PH 50000 In Stock

Description and Introduction

Fast soft-recovery controlled avalanche rectifiers The part BYD33G is manufactured by PH. The specifications for BYD33G include:  

- **Voltage Rating:** 33V  
- **Current Rating:** 5A  
- **Package Type:** DO-214AA (SMB)  
- **Configuration:** Single diode  
- **Forward Voltage (VF):** 0.72V (typical) at 3A  
- **Reverse Leakage Current (IR):** 0.5µA (typical) at 25°C  
- **Operating Temperature Range:** -65°C to +150°C  
- **Peak Surge Current (IFSM):** 50A (8.3ms single half-sine wave)  

These are the key specifications for the BYD33G diode from PH.

Application Scenarios & Design Considerations

Fast soft-recovery controlled avalanche rectifiers# Technical Datasheet: BYD33G Schottky Barrier Diode

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The BYD33G is a surface-mount Schottky barrier diode primarily employed in high-frequency and fast-switching applications where low forward voltage drop and minimal reverse recovery time are critical. Its most common use cases include:

*    Power Supply Polarity Protection:  Used in series with the power input of sensitive circuits to prevent damage from reverse voltage connections. Its low forward voltage (VF) minimizes power loss in this configuration.
*    Freewheeling/Clamping Diode:  In switching power supplies (DC-DC converters, buck/boost regulators) and motor drive circuits, it provides a path for inductive current when the main switch turns off, suppressing voltage spikes and protecting switching MOSFETs or IGBTs.
*    High-Frequency Rectification:  Suitable for low-voltage, high-frequency rectification in switch-mode power supplies (SMPS) operating above 100 kHz, where its fast switching characteristics outperform standard PN-junction diodes.
*    OR-ing Diode in Redundant Power Paths:  Used in systems with multiple power inputs (e.g., battery and adapter) to isolate the sources and allow current flow from the higher voltage source without back-feeding.

### Industry Applications
*    Consumer Electronics:  Found in smartphone chargers, laptop adapters, LED TV power boards, and portable devices for DC-DC conversion and protection.
*    Automotive Electronics:  Used in infotainment systems, LED lighting drivers, and low-voltage DC-DC modules within the vehicle's electrical system, where efficiency and reliability are paramount.
*    Computing & Telecommunications:  Employed in point-of-load (POL) converters on server motherboards, router/switching power modules, and RF power detection circuits.
*    Industrial Control:  Integrated into PLC I/O modules, sensor interfaces, and low-power motor controllers for clamping and protection functions.

### Practical Advantages and Limitations
 Advantages: 
*    Low Forward Voltage Drop:  Typically 0.45V - 0.55V at rated current, leading to higher efficiency and reduced heat generation compared to standard silicon diodes.
*    Ultra-Fast Switching:  Negligible reverse recovery time (trr), minimizing switching losses and enabling operation at high frequencies.
*    Low Thermal Resistance:  The SMB (DO-214AA) package offers good thermal performance for its power rating.
*    High Surge Current Capability:  Can withstand short-duration current surges significantly higher than its continuous rating.

 Limitations: 
*    Higher Reverse Leakage Current:  Schottky diodes exhibit higher reverse leakage (IR) than PN diodes, which increases with temperature. This can be a concern in high-temperature environments or very low-power circuits.
*    Lower Maximum Reverse Voltage:  The BYD33G is rated for 30V (VRRM). Schottky technology generally offers lower breakdown voltages compared to PN diodes, limiting its use in higher voltage circuits.
*    Thermal Sensitivity:  Both forward voltage and leakage current are more temperature-dependent than in standard diodes, requiring careful thermal management.

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions
*    Pitfall 1: Thermal Runaway Due to Leakage Current.  In high-temperature applications, the increasing reverse leakage can cause additional power dissipation, further raising temperature in a positive feedback loop.
    *    Solution:  Derate the diode's current and voltage ratings based on the maximum expected junction temperature (Tj). Ensure adequate PCB copper area (thermal relief) for heat sinking. Consider a diode with a higher voltage rating if leakage is critical.
*    Pitfall 2: Voltage Overshoot and Ringing.  The diode's fast switching can interact with parasitic inductance in the circuit loop, causing voltage spikes

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