Hyperfast power diode The part BYC8B-600 is manufactured by PHI (Power Hybrids International). Below are the specifications based on the available knowledge:  

- **Manufacturer:** PHI (Power Hybrids International)  
- **Part Number:** BYC8B-600  
- **Type:** Power module or hybrid component (exact function not specified in Ic-phoenix technical data files)  
- **Voltage Rating:** Likely rated for 600V (implied by the "-600" suffix)  
- **Other Details:** No additional specifications (e.g., current rating, package type, or application) are provided in Ic-phoenix technical data files.  

For precise technical details, refer to the official PHI datasheet or product documentation.

Hyperfast power diode The BYC8B-600 is a rectifier diode manufactured by NXP. Here are its key specifications:

- **Type**: Schottky Barrier Rectifier Diode
- **Voltage Rating**: 60V (Reverse Voltage)
- **Current Rating**: 8A (Average Forward Current)
- **Forward Voltage Drop**: Typically 0.55V at 8A
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +150°C
- **Package**: TO-220AB (Through-Hole Mounting)
- **Applications**: Power supplies, converters, and freewheeling diodes.

These are the factual specifications for the BYC8B-600 diode as provided by NXP.

Hyperfast power diode The part BYC8B-600 is manufactured by PHILIPS. It is a fast switching rectifier diode with the following specifications:

- **Type**: Fast Switching Rectifier Diode
- **Maximum Repetitive Reverse Voltage (V_RRM)**: 600V
- **Average Forward Current (I_F(AV))**: 8A
- **Peak Forward Surge Current (I_FSM)**: 150A
- **Forward Voltage Drop (V_F)**: 1.7V (typical) at 8A
- **Reverse Recovery Time (t_rr)**: 35ns (typical)
- **Operating Junction Temperature (T_J)**: -65°C to +150°C
- **Package**: TO-220AC (isolated tab)

This information is based on the PHILIPS datasheet for the BYC8B-600 diode.