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BY253GP from VISHAY

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BY253GP

Manufacturer: VISHAY

Glass Passivated Junction Plastic Rectifiers, Forward Current 3.0A

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
BY253GP VISHAY 50000 In Stock

Description and Introduction

Glass Passivated Junction Plastic Rectifiers, Forward Current 3.0A The part BY253GP is a rectifier diode manufactured by Vishay. Here are its key specifications:

- **Type**: High voltage rectifier diode
- **Maximum Repetitive Reverse Voltage (VRRM)**: 1500 V
- **Average Forward Current (IF(AV))**: 2.5 A
- **Peak Forward Surge Current (IFSM)**: 50 A (non-repetitive)
- **Forward Voltage Drop (VF)**: 1.2 V (typical at 2.5 A)
- **Reverse Recovery Time (trr)**: 500 ns (typical)
- **Operating Junction Temperature (Tj)**: -65°C to +150°C
- **Package**: DO-15 (Axial leaded)

This information is based on Vishay's datasheet for the BY253GP.

Application Scenarios & Design Considerations

Glass Passivated Junction Plastic Rectifiers, Forward Current 3.0A# Technical Documentation: BY253GP High-Efficiency Rectifier Diode

## 1. Application Scenarios

### 1.1 Typical Use Cases
The BY253GP is a high-voltage, fast-recovery rectifier diode primarily employed in power conversion circuits where efficient AC-to-DC rectification is required. Its most common applications include:

-  Switching Mode Power Supplies (SMPS) : Used in flyback and forward converter topologies as output rectifiers in AC/DC adapters, LED drivers, and industrial power supplies
-  Freewheeling/Clamping Circuits : Protects switching transistors (MOSFETs/IGBTs) from voltage spikes in inductive load applications
-  Voltage Multipliers : Implemented in Cockcroft-Walton voltage multiplier circuits for high-voltage DC generation
-  Battery Chargers : Rectification stage in transformer-based battery charging systems

### 1.2 Industry Applications
-  Consumer Electronics : Power supplies for televisions, monitors, and audio equipment
-  Industrial Automation : Motor drives, control systems, and PLC power modules
-  Renewable Energy : Inverter circuits for solar power systems
-  Lighting : LED driver circuits and ballast systems
-  Telecommunications : Power distribution units and base station power supplies

### 1.3 Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  Fast Recovery Time  (typically 150 ns): Reduces switching losses in high-frequency applications
-  High Voltage Rating  (1300 V): Suitable for offline power supplies and industrial applications
-  Low Forward Voltage Drop  (1.3 V typical at 3 A): Improves efficiency and reduces thermal dissipation
-  High Surge Current Capability  (150 A): Withstands inrush currents during startup
-  Glass Passivated Junction : Provides stable performance and reliability under varying environmental conditions

 Limitations: 
-  Reverse Recovery Charge : Higher than Schottky diodes, limiting ultra-high frequency applications
-  Thermal Management : Requires proper heatsinking at higher current levels
-  Voltage Derating : Recommended to operate at 70-80% of maximum rated voltage for reliability
-  Frequency Limitations : Performance degrades above 100 kHz in certain applications

## 2. Design Considerations

### 2.1 Common Design Pitfalls and Solutions

 Pitfall 1: Inadequate Thermal Management 
-  Problem : Excessive junction temperature leading to reduced lifespan or catastrophic failure
-  Solution : 
  - Calculate power dissipation: P_d = V_f × I_f(avg) + (Q_rr × V_r × f)
  - Ensure thermal resistance (junction-to-ambient) < (T_jmax - T_amb)/P_d
  - Use proper heatsinking with thermal interface material

 Pitfall 2: Voltage Overshoot During Switching 
-  Problem : Ringing and voltage spikes exceeding maximum ratings
-  Solution :
  - Implement snubber circuits (RC networks) across the diode
  - Minimize parasitic inductance in layout
  - Consider using soft-recovery diodes in parallel for critical applications

 Pitfall 3: Reverse Recovery Current Issues 
-  Problem : Excessive reverse recovery current causing EMI and efficiency losses
-  Solution :
  - Add small series resistance to limit di/dt
  - Use gate drive optimization for associated switching devices
  - Consider alternative topologies with reduced switching stress

### 2.2 Compatibility Issues with Other Components

 With Switching Devices: 
-  MOSFETs/IGBTs : Ensure diode recovery characteristics match switching device timing
-  Gate Drivers : Account for reverse recovery current in driver current capability calculations
-  Transformers : Consider diode capacitance effects on transformer secondary side

 With Passive Components: 
-  Capacitors : Electrolytic capacitors may be affected by high

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