SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated) The BUZ90 is a power MOSFET manufactured by Siemens. Here are its key specifications from Ic-phoenix technical data files:

1. **Type**: N-channel enhancement mode power MOSFET  
2. **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 100V  
3. **Continuous Drain Current (I_D)**: 8A  
4. **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 32A  
5. **Power Dissipation (P_D)**: 75W  
6. **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
7. **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.15Ω (typical at V_GS = 10V)  
8. **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2-4V  
9. **Input Capacitance (C_iss)**: 500pF (typical)  
10. **Package**: TO-220  

These specifications are based on Siemens' documentation for the BUZ90 MOSFET.