Trans MOSFET N-CH 800V 3.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 The BUZ80 is a power MOSFET manufactured by SIEMENS. Below are its key specifications:

- **Type**: N-channel enhancement mode MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 800V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 4A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 16A  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 125W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **On-State Resistance (R_DS(on))**: 3Ω (typical) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 300pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 50pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 10pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on))**: 20ns (typical)  
- **Rise Time (t_r)**: 60ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off))**: 100ns (typical)  
- **Fall Time (t_f)**: 50ns (typical)  
- **Package**: TO-220  

These specifications are based on SIEMENS' datasheet for the BUZ80 MOSFET.

Trans MOSFET N-CH 800V 3.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 The BUZ80 is a power MOSFET manufactured by Infineon. Here are its key specifications:  

- **Type**: N-channel enhancement mode MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 800V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 4.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 18A  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 125W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **On-State Resistance (R_DS(on))**: 3Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on))**: 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off))**: 60ns (typical)  
- **Package**: TO-220  

These specifications are based on standard operating conditions. For detailed performance curves and absolute maximum ratings, refer to Infineon's official datasheet.