SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated) The BUZ74 is a power MOSFET manufactured by SIEMENS. Below are its key specifications:

- **Type**: N-channel enhancement mode MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 60V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 120A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 125W  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.028Ω (max at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 1500pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 500pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 150pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on))**: 10ns (typical)  
- **Rise Time (t_r)**: 30ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off))**: 60ns (typical)  
- **Fall Time (t_f)**: 20ns (typical)  
- **Package**: TO-220AB  

This information is based on the manufacturer's datasheet.

SIPMOS Power Transistor (N channel Enhancement mode Avalanche-rated) The BUZ74 is a power MOSFET manufactured by Siemens (now Infineon Technologies). Here are its key specifications:

- **Type**: N-channel enhancement mode MOSFET
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 60V
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 13A
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 52A
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V
- **Power Dissipation (P_D)**: 75W
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.055Ω (max at V_GS = 10V, I_D = 13A)
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2-4V
- **Input Capacitance (C_iss)**: 1000pF (typical)
- **Package**: TO-220AB

These specifications are based on the datasheet from the manufacturer.