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BUZ10

Trans MOSFET N-CH 50V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
BUZ10 120 In Stock

Description and Introduction

Trans MOSFET N-CH 50V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220 The BUZ10 is a power MOSFET manufactured by various semiconductor companies, including Infineon Technologies (formerly Siemens) and STMicroelectronics.  

### **Key Specifications (BUZ10):**  
- **Type:** N-channel enhancement mode MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 12A (at 25°C case temperature)  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 48A  
- **Power Dissipation (PD):** 75W (at 25°C case temperature)  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.28Ω (max) at VGS = 10V, ID = 6A  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 500pF (typical)  
- **Output Capacitance (Coss):** 150pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 35ns (typical)  
- **Package:** TO-220 (through-hole)  

These specifications may vary slightly depending on the manufacturer. Always refer to the datasheet for exact values.

Application Scenarios & Design Considerations

Trans MOSFET N-CH 50V 23A 3-Pin(3+Tab) TO-220# Technical Documentation: BUZ10 N-Channel Power MOSFET

## 1. Application Scenarios

### 1.1 Typical Use Cases
The BUZ10 is a rugged N-channel enhancement-mode power MOSFET designed for medium-power switching applications. Its primary use cases include:

 Switching Power Supplies 
- DC-DC converters (buck/boost topologies)
- SMPS primary-side switching (up to 100W)
- Flyback converter implementations
- Forward converter designs

 Motor Control Systems 
- Brushed DC motor drivers (12-24V systems)
- Solenoid and relay drivers
- Stepper motor control circuits
- Automotive window/lock actuators

 Load Switching Applications 
- Solid-state relay replacements
- Battery disconnect switches
- Hot-swap power controllers
- Electronic fuse implementations

### 1.2 Industry Applications

 Automotive Electronics 
- Body control modules (BCM)
- Power distribution centers
- Lighting control systems
- Auxiliary power management

 Industrial Control Systems 
- PLC output modules
- Industrial automation equipment
- Process control interfaces
- Machine tool controllers

 Consumer Electronics 
- Power management in audio amplifiers
- LCD/LED TV power circuits
- Computer peripheral power control
- Battery-powered equipment

 Renewable Energy Systems 
- Solar charge controllers
- Small wind turbine regulators
- Battery management systems

### 1.3 Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  Low On-Resistance:  RDS(on) typically 0.28Ω at 10V VGS, minimizing conduction losses
-  Fast Switching:  Typical rise time 30ns, fall time 20ns at 25°C
-  High Voltage Rating:  50V VDS rating suitable for 12V and 24V systems
-  Robust Construction:  TO-220 package with good thermal characteristics
-  Avalanche Energy Rated:  Can withstand limited voltage transients
-  Cost-Effective:  Economical solution for medium-power applications

 Limitations: 
-  Gate Threshold Sensitivity:  VGS(th) 2-4V requires proper drive voltage
-  Thermal Considerations:  Maximum junction temperature 175°C requires heatsinking above 2A continuous
-  Voltage Margin:  50V rating provides limited overhead for 24V systems
-  Switching Speed:  Not optimized for high-frequency (>500kHz) applications
-  ESD Sensitivity:  Requires standard ESD precautions during handling

## 2. Design Considerations

### 2.1 Common Design Pitfalls and Solutions

 Gate Drive Issues 
-  Problem:  Insufficient gate drive voltage leading to high RDS(on) and excessive heating
-  Solution:  Ensure VGS ≥ 10V for full enhancement, use dedicated gate drivers for fast switching

 Thermal Management 
-  Problem:  Inadequate heatsinking causing thermal runaway
-  Solution:  Calculate power dissipation (P = I² × RDS(on)) and provide appropriate heatsinking
-  Implementation:  Use thermal compound, proper mounting torque (0.6-0.8 N·m)

 Voltage Spikes 
-  Problem:  Inductive kickback exceeding VDS(max) during switching
-  Solution:  Implement snubber circuits or freewheeling diodes
-  Example:  RC snubber (10Ω, 1nF) across drain-source for inductive loads

 Parasitic Oscillation 
-  Problem:  High-frequency ringing due to PCB layout parasitics
-  Solution:  Minimize gate loop area, use gate resistors (10-100Ω)

### 2.2 Compatibility Issues with Other Components

 Microcontroller Interfaces 
-  Issue:  3.3V/5V MCU outputs insufficient for direct gate drive
-  Solution:  Use level shifters or MOSFET driver ICs (TC4420, IR

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