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BUK794R1-40BT from NXP,NXP Semiconductors

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BUK794R1-40BT

Manufacturer: NXP

Trenchmos (tm) standard level FET

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
BUK794R1-40BT,BUK794R140BT NXP 940 In Stock

Description and Introduction

Trenchmos (tm) standard level FET The BUK794R1-40BT is a power MOSFET manufactured by NXP. Here are its key specifications:

- **Type**: N-channel TrenchMOS logic level FET  
- **Voltage (VDS)**: 40 V  
- **Current (ID)**: 50 A  
- **Power Dissipation (PD)**: 125 W  
- **On-Resistance (RDS(on))**: 9.5 mΩ (max at VGS = 10 V)  
- **Gate-Source Voltage (VGS)**: ±20 V  
- **Package**: TO-220AB (leaded)  
- **Mounting**: Through-hole  
- **Applications**: Automotive, power switching, motor control  

This information is based on NXP's official datasheet for the BUK794R1-40BT.

Application Scenarios & Design Considerations

Trenchmos (tm) standard level FET# Technical Documentation: BUK794R140BT Power MOSFET

## 1. Application Scenarios

### 1.1 Typical Use Cases
The BUK794R140BT is a 140V, 0.0045Ω N-channel TrenchMOS logic level FET optimized for high-efficiency power switching applications. Its primary use cases include:

 DC-DC Converters : Particularly suitable for synchronous buck converters in intermediate voltage bus applications (24V-48V input systems). The low RDS(on) of 4.5mΩ enables high efficiency in power conversion stages, making it ideal for point-of-load converters in distributed power architectures.

 Motor Control Systems : Used in H-bridge configurations for brushless DC (BLDC) and stepper motor drivers in industrial automation, robotics, and automotive subsystems. The device's robust avalanche capability (single pulse: 1.1J) provides protection against inductive kickback in motor windings.

 Solid-State Relays : Enables high-current switching in industrial control systems, replacing mechanical relays with faster switching, longer lifespan, and silent operation. The logic-level gate drive (VGS(th) = 2.0V max) allows direct interface with microcontroller GPIO pins.

 Battery Management Systems : Employed in battery protection circuits, load switches, and charge/discharge control in electric vehicles, energy storage systems, and portable power equipment. The low gate charge (Qg = 130nC typical) minimizes switching losses in high-frequency PWM applications.

### 1.2 Industry Applications

 Automotive Electronics : 
- Electric power steering (EPS) systems
- Engine control units (ECU) power switching
- LED lighting drivers
- 48V mild-hybrid systems
- Battery disconnect switches

 Industrial Automation :
- Programmable logic controller (PLC) I/O modules
- Servo drive power stages
- Industrial power supplies
- Welding equipment
- Test and measurement instrumentation

 Telecommunications :
- Base station power amplifiers
- -48V telecom rectifiers
- Power over Ethernet (PoE) switches
- Server power supplies
- Network equipment power distribution

 Renewable Energy :
- Solar microinverters
- Wind turbine pitch control
- Maximum power point tracking (MPPT) converters
- Energy storage system power converters

### 1.3 Practical Advantages and Limitations

 Advantages :
-  Exceptional Efficiency : Ultra-low RDS(on) (4.5mΩ max at VGS = 10V) minimizes conduction losses, enabling >95% efficiency in typical applications
-  Fast Switching : Typical switching times of 20ns (turn-on) and 60ns (turn-off) at 25°C reduce switching losses in high-frequency operation
-  Robustness : Avalanche energy rated (EAS = 1.1J single pulse), providing inherent protection against voltage transients
-  Thermal Performance : Low thermal resistance (Rth(j-c) = 0.5°C/W) combined with Power-SO8 package enables excellent heat dissipation
-  Logic-Level Compatible : Fully enhanced at VGS = 4.5V, allowing direct drive from 3.3V or 5V microcontrollers

 Limitations :
-  Voltage Margin : Operating at maximum VDS (140V) requires careful consideration of voltage spikes in inductive applications
-  Gate Sensitivity : ESD-sensitive device (HBM Class 2) requires proper handling and protection during assembly
-  Package Constraints : Power-SO8 package limits maximum continuous current to 100A, requiring parallel devices for higher current applications
-  Thermal Considerations : While thermal resistance is low, high-current applications still require substantial heatsinking or forced air cooling
-  Cost Considerations : Premium performance comes at higher cost compared to standard MOSFETs, making it less suitable for cost

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