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BUK7907-55ATE from NXP,NXP Semiconductors

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BUK7907-55ATE

Manufacturer: NXP

N-channel TrenchPLUS standard level FET

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
BUK7907-55ATE,BUK790755ATE NXP 995 In Stock

Description and Introduction

N-channel TrenchPLUS standard level FET The BUK7907-55ATE is a power MOSFET manufactured by NXP. Here are its key specifications:

- **Type**: N-channel TrenchMOS logic level FET  
- **Drain-Source Voltage (VDS)**: 55 V  
- **Continuous Drain Current (ID)**: 70 A  
- **Pulsed Drain Current (IDM)**: 280 A  
- **Power Dissipation (Ptot)**: 125 W  
- **Gate-Source Voltage (VGS)**: ±20 V  
- **On-State Resistance (RDS(on))**: 7.5 mΩ (max) at VGS = 10 V  
- **Threshold Voltage (VGS(th))**: 1.0–2.5 V  
- **Package**: TO-220AB  

These specifications are based on NXP's datasheet for the BUK7907-55ATE.

Application Scenarios & Design Considerations

N-channel TrenchPLUS standard level FET# Technical Documentation: BUK790755ATE Power MOSFET

## 1. Application Scenarios

### 1.1 Typical Use Cases
The BUK790755ATE is a 55V, 7.5mΩ N-channel TrenchMOS logic level FET optimized for high-efficiency power switching applications. Its primary use cases include:

 DC-DC Converters : Particularly suitable for synchronous buck converters in intermediate voltage rails (12V-48V input systems) where low RDS(on) and fast switching characteristics are critical for efficiency.

 Motor Control Systems : Used in H-bridge configurations for brushless DC (BLDC) and stepper motor drivers in automotive and industrial applications, benefiting from its low conduction losses during PWM operation.

 Power Distribution Switches : Implements load switching in power management units (PMUs) for server, telecom, and networking equipment, where its low gate charge enables rapid turn-on/off for hot-swap and soft-start applications.

 Battery Management Systems : Employed in battery protection circuits and discharge path control for lithium-ion battery packs, leveraging its reverse diode characteristics and thermal performance.

### 1.2 Industry Applications

 Automotive Electronics :
- Electric power steering (EPS) systems
- Engine control units (ECUs)
- LED lighting drivers
- 48V mild-hybrid systems
- On-board chargers (OBC) for auxiliary circuits

 Industrial Automation :
- Programmable logic controller (PLC) I/O modules
- Industrial motor drives
- Power supplies for factory automation
- Robotics power distribution

 Telecommunications :
- Base station power amplifiers
- Network switch power supplies
- RF power amplifier biasing circuits
- Hot-swap controllers in server backplanes

 Consumer Electronics :
- High-end gaming console power delivery
- High-current USB-PD (Power Delivery) ports
- High-performance computing motherboards

### 1.3 Practical Advantages and Limitations

 Advantages :
-  Exceptional RDS(on) : 7.5mΩ maximum at VGS = 10V enables minimal conduction losses
-  Logic Level Compatible : Fully enhanced at VGS = 4.5V, compatible with 5V microcontroller outputs
-  Robust Thermal Performance : Low thermal resistance (RthJC = 0.5°C/W typical) facilitates efficient heat dissipation
-  Avalanche Rated : Specified repetitive avalanche energy (EAS) ensures reliability in inductive switching
-  Low Gate Charge : Qg(tot) of 35nC typical enables high-frequency switching up to 500kHz

 Limitations :
-  Voltage Limitation : 55V maximum VDS restricts use in higher voltage applications (>60V systems)
-  Package Constraints : D2PAK (TO-263) package requires significant PCB area (10.3mm × 15.1mm footprint)
-  Gate Sensitivity : Maximum VGS of ±20V requires careful gate drive design to prevent overvoltage
-  Thermal Considerations : High current capability (up to 120A) necessitates proper thermal management in continuous operation

## 2. Design Considerations

### 2.1 Common Design Pitfalls and Solutions

 Pitfall 1: Inadequate Gate Drive 
*Problem*: Underdriving the gate (VGS < 4.5V) increases RDS(on) significantly, causing excessive heating.
*Solution*: Implement dedicated gate driver IC with minimum 5V output, ensure gate drive current capability >2A for fast switching.

 Pitfall 2: Poor Thermal Management 
*Problem*: Relying solely on PCB copper for heat dissipation leads to thermal runaway at high currents.
*Solution*: Use 2oz copper minimum, implement thermal vias under package, consider heatsinking for currents >50A continuous.

 Pitfall

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