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BUK7635-55A from PH

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BUK7635-55A

Manufacturer: PH

N-channel TrenchMOS standard level FET

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
BUK7635-55A,BUK763555A PH 590 In Stock

Description and Introduction

N-channel TrenchMOS standard level FET The BUK7635-55A is a power MOSFET manufactured by NXP Semiconductors.  

**Key Specifications:**  
- **Manufacturer:** NXP Semiconductors  
- **Type:** N-channel TrenchMOS logic level FET  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 55 V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 30 A  
- **Power Dissipation (Ptot):** 48 W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20 V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 19 mΩ (max at VGS = 10 V)  
- **Package:** LFPAK (Power-SO8)  

For detailed datasheet information, refer to NXP's official documentation.

Application Scenarios & Design Considerations

N-channel TrenchMOS standard level FET# Technical Documentation: BUK763555A Power MOSFET

## 1. Application Scenarios

### 1.1 Typical Use Cases
The BUK763555A is a high-performance N-channel power MOSFET designed for demanding switching applications. Its primary use cases include:

 DC-DC Converters : The component excels in synchronous buck converters, particularly in point-of-load (POL) applications where high efficiency and compact footprint are critical. Its low on-resistance (RDS(on)) and fast switching characteristics make it suitable for both high-side and low-side switching positions in converter topologies operating at frequencies up to 500 kHz.

 Motor Control Systems : In brushless DC (BLDC) and stepper motor drives, the BUK763555A provides reliable switching for PWM-controlled inverter stages. Its robust design handles the inductive kickback typical in motor applications, with the integrated body diode providing necessary freewheeling paths.

 Power Management Units : Used in server power supplies, telecom infrastructure, and industrial power systems for load switching, OR-ing, and hot-swap applications. The MOSFET's low gate charge facilitates efficient switching in high-frequency power management ICs.

### 1.2 Industry Applications

 Automotive Electronics : 
- Engine control units (ECUs) for fuel injection systems
- Electric power steering (EPS) motor drives
- Battery management systems (BMS) for electric vehicles
- LED lighting drivers with PWM dimming

 Industrial Automation :
- Programmable logic controller (PLC) I/O modules
- Industrial motor drives for conveyor systems
- Switching power supplies for factory equipment
- Solenoid and relay drivers

 Consumer Electronics :
- High-efficiency laptop adapters and chargers
- Gaming console power delivery networks
- High-end audio amplifier output stages
- Fast-charging circuits for mobile devices

 Telecommunications :
- Base station power amplifiers
- Network switch power distribution
- Fiber optic network power supplies
- 5G infrastructure power modules

### 1.3 Practical Advantages and Limitations

 Advantages :
-  Low RDS(on) : Typically 5.5 mΩ at VGS = 10V, minimizing conduction losses
-  Fast Switching : Total gate charge of 45 nC typical enables high-frequency operation
-  Thermal Performance : Low thermal resistance junction-to-case (RthJC) of 0.5°C/W
-  Avalanche Ruggedness : Withstands repetitive avalanche events, enhancing reliability
-  Logic Level Compatible : Can be driven directly from 5V microcontroller outputs

 Limitations :
-  Voltage Rating : 55V maximum VDS limits use in higher voltage applications
-  Package Constraints : D²PAK surface-mount package requires adequate PCB cooling
-  Gate Sensitivity : Requires careful gate drive design to prevent oscillations
-  Body Diode Performance : Reverse recovery characteristics may limit ultra-high frequency applications

## 2. Design Considerations

### 2.1 Common Design Pitfalls and Solutions

 Gate Drive Issues :
-  Problem : Inadequate gate drive current causing slow switching and excessive losses
-  Solution : Use dedicated gate driver ICs with peak current capability >2A. Implement proper gate resistors (typically 2-10Ω) to control switching speed and damp oscillations

 Thermal Management :
-  Problem : Inadequate heatsinking leading to thermal runaway
-  Solution : Implement thermal vias under the package, use 2oz copper layers, and consider forced air cooling for currents above 30A continuous

 Parasitic Inductance :
-  Problem : High di/dt causing voltage spikes during switching transitions
-  Solution : Minimize loop area in power paths, use low-ESR ceramic capacitors close to drain and source pins, and implement snubber circuits where necessary

 ESD Sensitivity :
-  Problem :

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