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BUK762R7-30B from PH

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BUK762R7-30B

Manufacturer: PH

TrenchMOS(TM) standard level FET

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
BUK762R7-30B,BUK762R730B PH 355 In Stock

Description and Introduction

TrenchMOS(TM) standard level FET The BUK762R7-30B is a power MOSFET manufactured by NXP Semiconductors.  

**Key Specifications:**  
- **Manufacturer:** NXP Semiconductors  
- **Type:** N-channel TrenchMOS logic level FET  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 30 V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 40 A  
- **RDS(on) (max):** 7.6 mΩ at VGS = 10 V  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20 V  
- **Power Dissipation (Ptot):** 50 W  
- **Package:** TO-220AB  

For detailed datasheet information, refer to NXP's official documentation.

Application Scenarios & Design Considerations

TrenchMOS(TM) standard level FET# Technical Documentation: BUK762R730B Power MOSFET

## 1. Application Scenarios

### 1.1 Typical Use Cases
The BUK762R730B is a 30V, 7.3mΩ N-channel TrenchMOS logic level FET optimized for high-efficiency power switching applications. Its primary use cases include:

 DC-DC Converters : Particularly in synchronous buck converters where low RDS(on) and fast switching characteristics are critical for efficiency. The device excels in converting 12V or 24V input rails to lower voltages (3.3V, 5V) with minimal conduction losses.

 Motor Control Systems : Suitable for brushed DC motor drives in automotive and industrial applications, including window lifters, seat adjusters, and small pump controllers. The logic-level gate drive (VGS(th) typically 1.35V) allows direct interface with microcontroller outputs.

 Load Switching : Ideal for high-current load switches in power distribution systems, particularly in automotive electronic control units (ECUs) and industrial controllers where space-constrained designs benefit from the device's Power-SO8 package.

### 1.2 Industry Applications

 Automotive Electronics :
- Engine management systems (fuel injector drivers, ignition systems)
- Body control modules (lighting control, power window/lock systems)
- Infotainment and telematics power management
- Advanced driver-assistance systems (ADAS) power distribution

 Industrial Automation :
- Programmable logic controller (PLC) output modules
- Industrial motor drives for conveyor systems
- Power supplies for sensors and actuators
- Battery management systems for industrial equipment

 Consumer Electronics :
- High-efficiency voltage regulators in gaming consoles
- Power management in set-top boxes and routers
- Battery-powered tool motor controllers

 Telecommunications :
- Base station power distribution
- Network equipment DC-DC conversion
- Power over Ethernet (PoE) powered devices

### 1.3 Practical Advantages and Limitations

 Advantages :
-  Low Conduction Losses : RDS(on) of 7.3mΩ (max) at VGS = 10V significantly reduces power dissipation in high-current applications
-  Logic Level Compatibility : Can be driven directly from 3.3V or 5V microcontroller outputs without additional gate drivers
-  Thermal Performance : Power-SO8 package offers improved thermal characteristics compared to standard SO-8 packages
-  Fast Switching : Typical rise time of 12ns and fall time of 8ns enables high-frequency switching (up to 500kHz)
-  AEC-Q101 Qualified : Suitable for automotive applications with extended temperature range (-55°C to +175°C)

 Limitations :
-  Voltage Rating : 30V maximum limits applications to lower voltage systems (typically ≤24V)
-  Package Constraints : Power-SO8 package, while thermally efficient, requires careful PCB thermal design for high-current applications
-  Gate Charge : Qg of 25nC (typical) may require consideration in very high-frequency applications (>1MHz)
-  Avalanche Energy : Limited avalanche ruggedness compared to some competing devices; requires proper snubber circuits in inductive load applications

## 2. Design Considerations

### 2.1 Common Design Pitfalls and Solutions

 Pitfall 1: Inadequate Gate Drive 
*Problem*: Underdriving the gate due to insufficient gate drive current, leading to increased switching losses and potential thermal issues.
*Solution*: Ensure gate driver can supply sufficient peak current (typically 2-3A) to charge the gate capacitance quickly. Use the formula: I_peak = Qg / t_rise, where t_rise is desired rise time.

 Pitfall 2: Thermal Management Oversight 
*Problem*: Underestimating power dissipation, particularly in continuous conduction mode applications

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