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BUK7208-40B from PHI,Philips

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BUK7208-40B

Manufacturer: PHI

N-channel TrenchMOS standard level FET

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
BUK7208-40B,BUK720840B PHI 754 In Stock

Description and Introduction

N-channel TrenchMOS standard level FET The part **BUK7208-40B** is manufactured by **PHI (Philips Semiconductors, now NXP Semiconductors)**.  

### Key Specifications:  
- **Type**: N-channel TrenchMOS logic level FET  
- **Drain-Source Voltage (VDS)**: 40V  
- **Continuous Drain Current (ID)**: 12A  
- **RDS(on) (max)**: 0.028Ω at VGS = 10V  
- **Gate-Source Voltage (VGS)**: ±20V  
- **Power Dissipation (Ptot)**: 45W  
- **Package**: TO-220AB  

This MOSFET is designed for high-efficiency switching applications.  

(Note: PHI refers to Philips Semiconductors, which later became part of NXP.)

Application Scenarios & Design Considerations

N-channel TrenchMOS standard level FET# Technical Documentation: BUK720840B Power MOSFET

 Manufacturer : PHI  
 Component Type : N-Channel Power MOSFET  
 Document Version : 1.0  
 Last Updated : October 2023  

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## 1. Application Scenarios

### 1.1 Typical Use Cases
The BUK720840B is a high-performance N-channel enhancement mode MOSFET designed for switching applications requiring low on-state resistance and fast switching characteristics. Typical use cases include:

-  DC-DC Converters : Particularly in buck, boost, and buck-boost configurations where efficiency is critical
-  Motor Control Circuits : For driving brushed DC motors, stepper motors, and BLDC motors in automotive and industrial applications
-  Power Management Systems : In load switches, hot-swap controllers, and power distribution units
-  Lighting Systems : LED driver circuits and ballast control
-  Battery Management : Protection circuits and charge/discharge control in portable devices

### 1.2 Industry Applications

#### Automotive Electronics
-  Electric Power Steering (EPS) : Used in motor drive stages for precise current control
-  Battery Management Systems (BMS) : For cell balancing and protection circuits in electric/hybrid vehicles
-  LED Lighting Systems : Headlight and interior lighting control modules
-  DC-DC Converters : 12V to 5V/3.3V conversion for infotainment and control systems

#### Industrial Automation
-  PLC Output Modules : Switching inductive loads in programmable logic controllers
-  Motor Drives : For conveyor systems, robotic arms, and positioning equipment
-  Power Supplies : Switch-mode power supplies (SMPS) for industrial equipment

#### Consumer Electronics
-  Portable Devices : Power management in smartphones, tablets, and laptops
-  Gaming Consoles : Voltage regulation for processing units and peripherals
-  Home Appliances : Inverter control for refrigerators, air conditioners, and washing machines

### 1.3 Practical Advantages and Limitations

#### Advantages:
-  Low RDS(on) : Typically 8.4 mΩ at VGS = 10V, reducing conduction losses
-  Fast Switching : Low gate charge (Qg) enables high-frequency operation up to 500 kHz
-  Avalanche Rated : Robustness against inductive switching transients
-  Thermal Performance : Low thermal resistance junction-to-case (RthJC)
-  Logic Level Compatible : Can be driven directly from 5V microcontroller outputs

#### Limitations:
-  Voltage Constraint : Maximum VDS of 40V limits high-voltage applications
-  Gate Sensitivity : Requires proper gate drive design to prevent oscillations
-  Thermal Management : Requires adequate heatsinking at high current loads
-  SO-8 Package Limitations : Limited power dissipation compared to larger packages

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## 2. Design Considerations

### 2.1 Common Design Pitfalls and Solutions

#### Pitfall 1: Inadequate Gate Driving
 Problem : Slow gate charging/discharging causes excessive switching losses and potential thermal runaway.  
 Solution : 
- Use dedicated gate driver ICs (e.g., TC4420, UCC27524) with peak current capability >2A
- Implement gate resistors (2-10Ω) to control rise/fall times and damp oscillations
- Ensure gate drive voltage is within specified range (VGS ±20V maximum)

#### Pitfall 2: Poor Thermal Management
 Problem : Junction temperature exceeds maximum rating during continuous operation.  
 Solution :
- Calculate power dissipation: PD = I² × RDS(on) + Switching Losses
- Use thermal vias under the package (minimum 4-6 vias for SO-8)
- Select heatsink based on thermal resistance requirements
- Implement temperature monitoring with NTC thermistors for critical applications

#### Pitfall 3:

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