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BUK573-48C from PH

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BUK573-48C

Manufacturer: PH

PowerMOS transistor Clamped logic level FET

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
BUK573-48C,BUK57348C PH 26 In Stock

Description and Introduction

PowerMOS transistor Clamped logic level FET The part **BUK573-48C** is manufactured by **Nexperia**.  

### **Key Specifications:**  
- **Manufacturer:** Nexperia  
- **Type:** Power MOSFET (TrenchMOS)  
- **Technology:** Logic Level  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 48 V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 40 A  
- **RDS(on) (max):** 19 mΩ (at VGS = 10 V)  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20 V  
- **Power Dissipation (Ptot):** 83 W  
- **Package:** TO-220AB (3-pin)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  

For detailed datasheet information, refer to **Nexperia's official documentation**.

Application Scenarios & Design Considerations

PowerMOS transistor Clamped logic level FET# Technical Documentation: BUK57348C Power MOSFET

*Manufacturer: PH (Philips Semiconductors / NXP)*

## 1. Application Scenarios

### 1.1 Typical Use Cases
The BUK57348C is a 100V, 0.025Ω N-channel logic level MOSFET designed for high-efficiency power switching applications. Its primary use cases include:

 DC-DC Converters : Particularly suitable for synchronous buck converters in intermediate voltage ranges (24V-48V input systems). The low RDS(on) minimizes conduction losses, making it ideal for high-current switching applications up to 40A continuous current.

 Motor Control Systems : Used in H-bridge configurations for brushless DC (BLDC) motor drivers and stepper motor controllers in industrial automation equipment. The fast switching characteristics (typically 25ns rise/fall times) enable precise PWM control with minimal switching losses.

 Power Management Units : Employed as load switches in server power supplies, telecom infrastructure, and industrial control systems where efficient power distribution is critical.

 Battery Protection Circuits : Suitable for battery management systems (BMS) in electric vehicles and energy storage systems, providing reliable overcurrent protection with its avalanche-rated capability.

### 1.2 Industry Applications

 Automotive Electronics : 
- Electric power steering (EPS) systems
- Battery disconnect switches in hybrid/electric vehicles
- LED lighting drivers (high-power applications)
- *Advantage*: Qualified for automotive temperature ranges (-55°C to +175°C junction temperature)
- *Limitation*: Requires careful thermal management in under-hood applications

 Industrial Automation :
- Programmable logic controller (PLC) I/O modules
- Robotic actuator drivers
- Solenoid valve controllers
- *Advantage*: Robust TO-220 package withstands industrial vibration
- *Limitation*: May require additional snubber circuits in inductive load applications

 Telecommunications :
- Base station power amplifiers
- Hot-swap controllers in network equipment
- PoE (Power over Ethernet) midspan/injector circuits
- *Advantage*: Low gate charge (typically 45nC) enables high-frequency switching
- *Limitation*: Avalanche energy rating requires consideration in fault conditions

 Renewable Energy Systems :
- Solar charge controllers
- Wind turbine pitch control systems
- Maximum power point tracking (MPPT) converters
- *Advantage*: High voltage rating accommodates voltage spikes in renewable applications
- *Limitation*: May require paralleling for very high current applications (>40A)

### 1.3 Practical Advantages and Limitations

 Advantages :
1.  Low Conduction Losses : RDS(on) of 0.025Ω at VGS = 10V significantly reduces power dissipation
2.  Logic Level Compatibility : Fully enhanced at VGS = 5V, compatible with 3.3V and 5V microcontroller outputs
3.  Fast Switching : Typical switching frequency capability up to 500kHz
4.  Avalanche Ruggedness : Specified avalanche energy rating provides protection against inductive kickback
5.  Thermal Performance : Low thermal resistance (RthJC = 0.83°C/W) enables efficient heat dissipation

 Limitations :
1.  Gate Sensitivity : Requires proper gate drive design to prevent parasitic oscillation
2.  Body Diode Characteristics : Reverse recovery time (typically 100ns) may limit performance in synchronous rectification
3.  Package Constraints : TO-220 package requires adequate PCB spacing for high-voltage isolation
4.  SOA Considerations : Safe operating area must be respected, particularly during turn-off with inductive loads

## 2. Design Considerations

### 2.1 Common Design Pitfalls and Solutions

 Pitfall 1: Inadequate Gate Driving 
*Problem*: Using high

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