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BUK563-48C from PH

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BUK563-48C

Manufacturer: PH

PowerMOS transistor Voltage clamped logic level FET

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
BUK563-48C,BUK56348C PH 26 In Stock

Description and Introduction

PowerMOS transistor Voltage clamped logic level FET The BUK563-48C is a power MOSFET manufactured by PH (Philips Semiconductors, now NXP Semiconductors). Here are the key specifications from Ic-phoenix technical data files:  

- **Manufacturer**: PH (Philips/NXP)  
- **Type**: N-channel power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDSS)**: 48V  
- **Continuous Drain Current (ID)**: 50A  
- **Pulsed Drain Current (IDM)**: 200A  
- **Power Dissipation (PD)**: 125W  
- **Gate-Source Voltage (VGS)**: ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on))**: 0.028Ω (max at VGS = 10V)  
- **Package**: TO-220  

This information is based on the original datasheet from PH (Philips/NXP). For exact details, refer to the official documentation.

Application Scenarios & Design Considerations

PowerMOS transistor Voltage clamped logic level FET# Technical Documentation: BUK56348C Power MOSFET

*Manufacturer: Nexperia (PH)*

## 1. Application Scenarios

### 1.1 Typical Use Cases
The BUK56348C is a 30 V, 60 A N-channel TrenchMOS logic level FET optimized for high-efficiency switching applications. Its primary use cases include:

 DC-DC Converters : 
- Synchronous buck converters in point-of-load (POL) applications
- Voltage regulator modules (VRMs) for processor power delivery
- Intermediate bus converters in distributed power architectures

 Power Management :
- Load switching in battery-powered systems
- Hot-swap and power path management circuits
- OR-ing controllers for redundant power supplies

 Motor Control :
- Brushed DC motor drivers in automotive systems
- Solenoid and actuator drivers in industrial automation
- Fan and pump controllers in HVAC systems

### 1.2 Industry Applications

 Automotive Electronics :
- Engine control units (ECUs) and transmission controllers
- Advanced driver assistance systems (ADAS)
- Electric power steering (EPS) systems
- LED lighting drivers and body control modules

 Industrial Automation :
- Programmable logic controller (PLC) I/O modules
- Industrial motor drives and servo controllers
- Power supplies for factory automation equipment
- Battery management systems (BMS) for industrial UPS

 Telecommunications :
- Base station power amplifiers
- Network switch and router power distribution
- 5G infrastructure equipment
- Power-over-Ethernet (PoE) controllers

 Consumer Electronics :
- Gaming console power systems
- High-performance computing motherboards
- Large-format display backlight drivers
- Fast-charging power adapters

### 1.3 Practical Advantages and Limitations

 Advantages :
-  Low RDS(on) : 2.0 mΩ typical at VGS = 10 V enables high efficiency
-  Logic Level Compatible : Fully enhanced at VGS = 4.5 V, compatible with 3.3V/5V controllers
-  Fast Switching : Low gate charge (Qg = 85 nC typical) reduces switching losses
-  Robustness : Avalanche rated with excellent thermal characteristics
-  Compact Packaging : LFPAK56 (Power-SO8) package offers excellent power density

 Limitations :
-  Voltage Rating : 30 V maximum limits use in higher voltage applications
-  Package Constraints : LFPAK56 requires careful thermal management
-  Gate Sensitivity : Requires proper gate drive design to prevent oscillations
-  Current Handling : 60 A rating requires adequate PCB copper for heat dissipation

## 2. Design Considerations

### 2.1 Common Design Pitfalls and Solutions

 Pitfall 1: Inadequate Gate Drive 
*Problem*: Under-driven gates cause excessive conduction losses; over-driven gates risk gate oxide damage
*Solution*: Implement gate driver IC with 2-5A peak current capability; use series gate resistor (2-10Ω) to control rise/fall times

 Pitfall 2: Thermal Runaway 
*Problem*: Insufficient heatsinking causes junction temperature to exceed 175°C maximum
*Solution*: Calculate thermal impedance (RθJA = 40°C/W) and provide adequate copper area (minimum 4 cm² per device)

 Pitfall 3: Parasitic Oscillations 
*Problem*: High di/dt and dv/dt during switching can cause ringing and EMI
*Solution*: Implement Kelvin connection for gate drive; use snubber circuits; minimize loop inductance

 Pitfall 4: Avalanche Stress 
*Problem*: Inductive load switching can cause avalanche breakdown
*Solution*: Design within specified avalanche energy (EAS = 300 mJ); implement clamp circuits for

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