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BUK463-60A from PHILIPS

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BUK463-60A

Manufacturer: PHILIPS

PowerMOS transistor

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
BUK463-60A,BUK46360A PHILIPS 800 In Stock

Description and Introduction

PowerMOS transistor The BUK463-60A is a power MOSFET manufactured by PHILIPS. Below are its key specifications:  

- **Manufacturer:** PHILIPS  
- **Type:** N-channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 120A  
- **Power Dissipation (PD):** 75W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.045Ω (max) at VGS = 10V  
- **Package:** TO-220  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to the official PHILIPS documentation.

Application Scenarios & Design Considerations

PowerMOS transistor# Technical Documentation: BUK46360A Power MOSFET

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The BUK46360A is a high-performance N-channel power MOSFET designed for demanding switching applications. Its primary use cases include:

 Power Conversion Systems 
- DC-DC converters in telecom power supplies (48V to 12V/5V conversion)
- Synchronous rectification in switch-mode power supplies (SMPS)
- Uninterruptible power supplies (UPS) for server racks and data centers
- Solar inverter systems for maximum power point tracking (MPPT)

 Motor Control Applications 
- Brushless DC (BLDC) motor drives in industrial automation
- Stepper motor controllers for precision positioning systems
- Electric vehicle auxiliary power systems
- HVAC compressor and fan motor drives

 Load Switching Applications 
- Solid-state relays for industrial control systems
- Battery management system (BMS) protection circuits
- Hot-swap controllers in server backplanes
- Power distribution units (PDUs) for data centers

### Industry Applications

 Telecommunications Infrastructure 
- Base station power amplifiers and RF power supplies
- Network switch and router power subsystems
- Fiber optic network equipment power management
- 5G infrastructure power distribution units

 Industrial Automation 
- Programmable logic controller (PLC) I/O modules
- Industrial robot power distribution systems
- CNC machine tool spindle drives
- Process control system power management

 Consumer Electronics 
- High-end gaming console power supplies
- LED driver circuits for professional lighting
- Audio amplifier power stages
- High-power USB-PD charging systems

 Renewable Energy Systems 
- Wind turbine pitch control systems
- Solar charge controllers
- Energy storage system power converters
- Micro-inverter power stages

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
-  Low RDS(on):  0.036Ω typical at VGS = 10V, minimizing conduction losses
-  Fast Switching:  Typical rise time of 15ns and fall time of 20ns at 25°C
-  High Current Capability:  Continuous drain current of 30A at TC = 25°C
-  Robust Construction:  TO-220 package with excellent thermal characteristics
-  Avalanche Rated:  Capable of handling unclamped inductive switching events
-  Logic Level Compatible:  Can be driven directly from 5V microcontroller outputs

 Limitations: 
-  Gate Charge:  Relatively high total gate charge (45nC typical) requires careful gate driver design
-  Thermal Management:  Maximum junction temperature of 175°C necessitates proper heatsinking
-  Voltage Rating:  60V maximum limits use in higher voltage applications
-  Parasitic Capacitance:  Significant Ciss (1800pF typical) affects high-frequency performance
-  Cost Considerations:  Premium performance comes at higher cost compared to standard MOSFETs

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Gate Drive Issues 
*Pitfall:* Insufficient gate drive current leading to slow switching and excessive switching losses
*Solution:* Implement dedicated gate driver IC with peak current capability >2A and ensure proper gate resistor selection (typically 2-10Ω)

 Thermal Management Problems 
*Pitfall:* Inadequate heatsinking causing thermal runaway and premature failure
*Solution:* Calculate thermal resistance requirements based on maximum power dissipation and implement proper heatsink with thermal interface material

 Layout-Induced Oscillations 
*Pitfall:* Parasitic inductance in gate loop causing ringing and potential false triggering
*Solution:* Minimize gate loop area, use Kelvin connection for gate drive, and implement appropriate snubber circuits

 ESD Sensitivity 
*Pitfall:* Static discharge damage during handling and assembly
*Solution:* Implement ESD protection at gate terminal and follow proper ESD handling procedures during assembly

###

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
BUK463-60A,BUK46360A NXP 5000 In Stock

Description and Introduction

PowerMOS transistor The BUK463-60A is a power MOSFET manufactured by NXP. Below are its key specifications:  

- **Type**: N-channel  
- **Drain-Source Voltage (VDSS)**: 60V  
- **Continuous Drain Current (ID)**: 30A  
- **Pulsed Drain Current (IDM)**: 120A  
- **Power Dissipation (Ptot)**: 50W  
- **Gate-Source Voltage (VGS)**: ±20V  
- **On-State Resistance (RDS(on))**: 0.028Ω (max at VGS = 10V)  
- **Package**: TO-220AB  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +175°C  

These specifications are based on standard test conditions. For detailed performance curves and application notes, refer to the official NXP datasheet.

Application Scenarios & Design Considerations

PowerMOS transistor# Technical Documentation: BUK46360A Power MOSFET

 Manufacturer : NXP Semiconductors  
 Component Type : N-channel TrenchMOS logic level FET  
 Document Version : 1.0  
 Last Updated : October 2023

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## 1. Application Scenarios

### 1.1 Typical Use Cases

The BUK46360A is a 60V, 30A N-channel logic level MOSFET designed for high-efficiency switching applications. Its primary use cases include:

 DC-DC Converters :  
- Synchronous buck converters in point-of-load (POL) applications
- Boost converters for voltage step-up requirements
- Isolated flyback and forward converters in auxiliary power supplies

 Motor Control Systems :  
- Brushless DC (BLDC) motor drivers in automotive cooling fans
- Stepper motor drivers for precision positioning systems
- H-bridge configurations for bidirectional motor control

 Power Management :  
- Load switching in distributed power architectures
- Hot-swap protection circuits with current limiting
- OR-ing controllers for redundant power supplies

 Lighting Applications :  
- LED driver circuits for automotive and industrial lighting
- PWM dimming control in high-brightness LED arrays

### 1.2 Industry Applications

 Automotive Electronics :  
- Engine control units (ECUs) for fuel injection systems
- Electric power steering (EPS) motor drivers
- Battery management systems (BMS) for disconnect switches
- Advanced driver assistance systems (ADAS) power distribution

 Industrial Automation :  
- Programmable logic controller (PLC) output modules
- Industrial robot joint motor controllers
- Factory automation equipment power switches

 Consumer Electronics :  
- High-current power distribution in gaming consoles
- Fast charging circuits for portable devices
- Smart home appliance motor controls

 Telecommunications :  
- Base station power amplifier bias circuits
- Telecom rectifier modules for -48V systems
- PoE (Power over Ethernet) powered device controllers

### 1.3 Practical Advantages and Limitations

 Advantages :
-  Low RDS(on) : 12mΩ typical at VGS = 10V enables high efficiency operation
-  Logic Level Compatible : Full enhancement at VGS = 4.5V allows direct microcontroller interface
-  Fast Switching : Typical switching times under 20ns reduce switching losses
-  Avalanche Rated : Robustness against inductive load switching transients
-  Low Gate Charge : Qg of 30nC typical minimizes gate drive requirements

 Limitations :
-  Voltage Rating : 60V maximum limits use in higher voltage applications
-  Thermal Considerations : Requires proper heatsinking at full current rating
-  ESD Sensitivity : Standard ESD protection requires careful handling
-  Body Diode : Intrinsic diode has relatively high reverse recovery charge (Qrr)

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## 2. Design Considerations

### 2.1 Common Design Pitfalls and Solutions

 Pitfall 1: Inadequate Gate Drive 
-  Problem : Slow switching due to insufficient gate drive current
-  Solution : Use dedicated gate driver IC with peak current >2A
-  Implementation : TC4427 or similar driver with proper bypass capacitors

 Pitfall 2: Thermal Runaway 
-  Problem : RDS(on) positive temperature coefficient causing thermal instability
-  Solution : Implement temperature monitoring and current limiting
-  Implementation : Add NTC thermistor on heatsink with comparator circuit

 Pitfall 3: Voltage Spikes During Switching 
-  Problem : Inductive kickback exceeding VDS rating
-  Solution : Implement snubber circuits and proper freewheeling paths
-  Implementation : RC snubber across drain-source with fast recovery diode

 Pitfall 4: Parasitic Oscillation 
-  Problem : High-frequency ringing due to layout

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