IC Phoenix logo

Home ›  B  › B33 > BUH2M20AP

BUH2M20AP from ST,ST Microelectronics

Fast Delivery, Competitive Price @IC-phoenix

If you need more electronic components or better pricing, we welcome any inquiry.

BUH2M20AP

Manufacturer: ST

HIGH VOLTAGE NPN SILICON POWER TRANSISTOR

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
BUH2M20AP ST 23100 In Stock

Description and Introduction

HIGH VOLTAGE NPN SILICON POWER TRANSISTOR The BUH2M20AP is a power transistor manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:

- **Manufacturer:** STMicroelectronics  
- **Type:** NPN Bipolar Power Transistor  
- **Package:** TO-220  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 200V  
- **Collector Current (IC):** 2A  
- **Power Dissipation (Ptot):** 20W  
- **DC Current Gain (hFE):** 15 to 60 (at IC = 1A, VCE = 5V)  
- **Transition Frequency (fT):** 20MHz (typical)  
- **Operating Junction Temperature (Tj):** -65°C to +150°C  

These specifications are based on standard operating conditions unless otherwise noted. For detailed performance characteristics, refer to the official datasheet from STMicroelectronics.

Application Scenarios & Design Considerations

HIGH VOLTAGE NPN SILICON POWER TRANSISTOR# Technical Documentation: BUH2M20AP High-Voltage Power Transistor

 Manufacturer : STMicroelectronics
 Component Type : NPN Silicon Power Transistor
 Primary Application : High-voltage switching and amplification in power supply and display systems.

---

## 1. Application Scenarios

### 1.1 Typical Use Cases
The BUH2M20AP is a high-voltage, high-speed NPN bipolar junction transistor (BJT) specifically engineered for demanding switching applications. Its primary function is to serve as the main switching element in circuits requiring precise control of high voltages with moderate current handling.

*    Horizontal Deflection Output in CRT Displays:  This is the quintessential application. The transistor switches the current through the horizontal deflection coil (yoke) at the line frequency (typically 15.734 kHz for NTSC, 15.625 kHz for PAL/SECAM). Its high  VCEO  (Collector-Emitter Voltage, 1500V min) is critical to withstand the flyback voltage generated by the coil's inductance during the retrace (flyback) period.
*    Switch-Mode Power Supply (SMPS) Circuits:  Used in the primary-side switching stage of offline flyback and forward converters, particularly in monitor and TV power supplies. Its fast switching speed helps improve efficiency and reduce the size of magnetic components.
*    Electronic Ballasts:  For driving fluorescent lamps, where it performs high-frequency switching to regulate current through the lamp.
*    High-Voltage Pulse Generators:  In applications requiring the generation of sharp, high-voltage pulses for testing or specialized control systems.

### 1.2 Industry Applications
*    Consumer Electronics:  Legacy CRT-based televisions, computer monitors, and projection TVs.
*    Industrial Equipment:  High-voltage power supplies for electrostatic systems, laser power supplies, and industrial heating controls.
*    Lighting:  Dimmable fluorescent lighting ballasts.
*    Automotive (Secondary):  Certain ignition systems or specialized high-voltage control modules (though IGBTs are now more common).

### 1.3 Practical Advantages and Limitations

 Advantages: 
*    High Voltage Capability:  Excellent withstand voltage (VCEO up to 1500V) makes it suitable for direct off-line operation and CRT flyback circuits.
*    Fast Switching:  Specified fall time (tf) enables operation at frequencies up to ~50 kHz, reducing transformer/coil size.
*    Robustness:  Designed to handle the stressful conditions of flyback switching, including voltage spikes and high dV/dt.
*    Cost-Effective for Legacy Systems:  For maintenance and repair of existing CRT equipment, it remains a readily available and economical choice.

 Limitations: 
*    Obsolete for New Designs:  Largely superseded by  IGBTs  and  Power MOSFETs  in modern SMPS and display applications due to their superior switching efficiency, simpler drive requirements, and higher integration.
*    Drive Complexity:  Being a current-driven device (BJT), it requires significant base current to maintain saturation, leading to higher drive circuit losses compared to voltage-driven MOSFETs/IGBTs.
*    Secondary Breakdown:  Susceptible to failure under conditions of high voltage and high current simultaneously (within the Safe Operating Area - SOA). Careful SOA analysis is mandatory.
*    Storage Time Delay:  Exhibits a turn-off delay (storage time) which can complicate timing in very high-frequency circuits and requires careful base drive design to manage.

---

## 2. Design Considerations

### 2.1 Common Design Pitfalls and Solutions
*    Pitfall 1: Inadequate Base Drive Current. 
    *    Problem:  Insufficient base current forces the transistor out of saturation during the

Request Quotation

For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]

Part Number Quantity Target Price($USD) Email Contact Person
We offer highly competitive channel pricing. Get in touch for details.

Specializes in hard-to-find components chips