NPN SILICON TRANSISTOR The part **BA1L4M** is manufactured by **NEC**. Below are the specifications based on Ic-phoenix technical data files:  

- **Manufacturer**: NEC  
- **Part Number**: BA1L4M  
- **Type**: Schottky Barrier Diode  
- **Package**: SOD-123FL  
- **Maximum Reverse Voltage (VR)**: 40V  
- **Average Rectified Current (IO)**: 1A  
- **Forward Voltage (VF)**: 0.5V (typical at 1A)  
- **Reverse Leakage Current (IR)**: 100µA (max at VR)  
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +125°C  

This information is strictly factual and sourced from Ic-phoenix technical data files.